[发明专利]到受体衬底的选择性微型器件转移有效
| 申请号: | 201680006964.4 | 申请日: | 2016-01-21 |
| 公开(公告)号: | CN107851586B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
| 发明(设计)人: | 戈尔拉玛瑞扎·恰吉;伊赫桑阿拉·法特希 | 申请(专利权)人: | 维耶尔公司 |
| 主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L25/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘锋 |
| 地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 受体 衬底 选择性 微型 器件 转移 | ||
1.一种转移在微型器件阵列中所选择的微型器件的方法,其中每个微型器件利用施体力而键合至施体衬底,所述方法包括:
将所述施体衬底与受体衬底对准,使得所述选择的微型器件中的每个微型器件符合所述受体衬底上的接触焊盘;
将所述施体衬底和所述受体衬底一起移动直到所述选择的微型器件中的每个微型器件与所述受体衬底上的对应接触焊盘相接触或相接近;
通过力调制单元生成用于将所述选择的微型器件中的每个微型器件固持到其对应接触焊盘的受体力,其中所述选择的微型器件中的每个微型器件对应于所述力调制单元中的一者;以及
移开所述施体衬底和所述受体衬底使所述选择的微型器件在所述受体衬底上,
其中所述力调制单元在所述受体衬底上并且与所述接触焊盘直接接触。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括减弱将所述微型器件键合至所述施体衬底的所述施体力以辅助微型器件转移。
3.如权利要求2所述的方法,其中,减弱针对所述选择的微型器件的所述施体力以提高微型器件转移的选择性。
4.如权利要求1所述的方法,其中,选择性地生成所述受体力以提高微型器件转移的选择性。
5.如权利要求1所述的方法,进一步包括使用激光剥离来减弱所述施体力。
6.如权利要求1所述的方法,进一步包括通过加热所述施体衬底的区域来减弱所述施体力。
7.如权利要求4所述的方法,进一步包括通过加热所述受体衬底来调制所述受体力。
8.如权利要求7所述的方法,其中,所述加热是通过使电流穿过所述接触焊盘而执行的。
9.如权利要求4所述的方法,其中,所述受体力由机械柄生成。
10.如权利要求1所述的方法,进一步包括对所述受体衬底执行操作使得所述接触焊盘与所述选择的微型器件永久键合。
11.如权利要求4所述的方法,其中,所述受体力由所述选择的微型器件与所述受体衬底之间的静电引力生成。
12.如权利要求1所述的方法,其中,所述受体力由定位在所述选择的微型器件与所述受体衬底之间的粘合层生成。
13.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
移除所述施体力;以及
向所选择的微型器件施加推力以便将所述器件移向所述受体衬底。
14.如权利要求13所述的方法,其中,所述推力由沉积在所述选择的微型器件与所述施体衬底之间的牺牲层产生。
15.一种受体衬底结构,包括:
着陆区域阵列,所述着陆区域阵列用于选择性地固持施体衬底的微型器件,每个着陆区域包括:
至少一个接触焊盘,所述至少一个接触焊盘用于将微型器件耦合至所述受体衬底中的电路或电势;以及
至少一个力调制元件,所述至少一个力调制元件用于产生用于将微型器件固持在所述受体衬底上的受体力,
其中所述微型器件中的每个微型器件对应于所述至少一个力调制元件中的一者,并且其中所述至少一个力调制单元在所述受体衬底上并且与所述至少一个接触焊盘直接接触。
16.如权利要求15所述的受体衬底结构,其中,所述力调制元件为静电结构。
17.如权利要求15所述的受体衬底结构,其中,所述力调制元件为机械柄。
18.如权利要求15所述的受体衬底结构,其中,对于每个着陆区域,同一元件充当所述力调制元件和所述接触焊盘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维耶尔公司,未经维耶尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680006964.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





