[发明专利]以聚焦体积方法的晶片检验

权利要求书

1.一种用于检测半导体样本上的缺陷的方法，所述方法包括：

使用检验工具以在多个聚焦设置下从所述样本的多个xy位置中的每一者收集强度数据集合；

依据聚焦设置针对所述xy位置的经收集强度数据集合中的每一者提取具有多个系数的多项式方程式；

以对应系数图像平面表示用于所述多个xy位置的所述系数的值集合中的每一者以形成多个系数图像平面；及

分析多个不同系数图像平面以检测所述样本上的缺陷，所述多个不同系数图像平面基于所述系数图像平面的目标集合与所述系数图像平面的参考集合的比较。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述多个聚焦设置下从一或多个扫描带的下一集合之前的一或多个扫描带的第一集合收集强度数据，其中从其中收集所述强度数据的所述一或多个扫描带的第一集合及所述一或多个扫描带的下一集合中的所述扫描带的数目经选择为小于用于影响实际聚焦位置的热膨胀时间。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个扫描带包括第一及第二扫描带。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：

从所述检验工具收集实时xy及z编码器位置数据；及

在针对所述xy位置的经收集强度数据集合中的每一者提取所述多项式方程式之前，基于所述经收集实时xy位置数据将来自每一聚焦设置的所述经收集强度数据对准。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在执行所述对准操作之前在所述多个聚焦设置下从xy位置的所述第一及第二扫描带收集强度数据。

6.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括

在所述聚焦设置中的第一者下从所述扫描带中的第一者收集强度数据之前起始xy编码器位置数据到编码器缓冲区中的记录，

当所述检验工具的载台回转以设置用于在所述聚焦设置中的所述第一者下从所述扫描带中的第二者收集强度数据时，将所述xy编码器位置数据从所述编码器缓冲区复制到系统存储器中用于存取以在所述对准操作中使用且接着在从所述第二扫描带收集强度数据之前起始xy编码器位置数据到所述编码器缓冲区中的记录；

当所述检验工具的载台回转以设置用于在从所述第二扫描带收集强度数据之后在所述聚焦设置中的第二者下从所述第一扫描带收集强度数据时，将所述xy编码器位置数据从所述编码器缓冲区复制到系统存储器中用于存取以在所述对准操作中使用且接着在所述聚焦设置中的所述第二者下从所述第一扫描带收集强度数据之前起始xy编码器位置数据到所述编码器缓冲区中的记录；及

在所述聚焦设置中的每一者下对后续多对扫描带重复起始记录及复制的所述操作。

7.根据权利要求1所述的方法，其中通过以下项执行分析：

通过从所述参考集合中的每一者减去所述目标集合中的每一者计算所述多个不同系数图像平面，所述不同系数图像平面具有每一系数的多个不同系数值。

8.根据权利要求7所述的方法，其中通过将来自所述不同系数图像平面的每一xy位置处的所述不同系数值的图像点标绘成具有用于每一系数的轴的散点图以及将此类散点图的图像点集群为受关注的缺陷图像点、扰乱图像点或背景图像点的集群来分析所述不同系数图像平面。

9.根据权利要求7所述的方法，其中通过将来自所述不同系数图像平面的每一xy位置的所述不同系数值的图像点投影到单位球面上且将此类经投影图像点集群为受关注的缺陷图像点、扰乱图像点或背景图像点的集群来分析所述不同系数图像平面。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述不同系数图像平面经以下分析：

由收集自每一聚焦平面处的目标及参考的强度数据集合产生多个不同图像；

组合所述不同图像以形成跨焦点的融合图像；及

分析所述融合图像以用于缺陷检测。