[发明专利]形成钙钛矿光活性器件的光活性层的方法有效
| 申请号: | 201680006465.5 | 申请日: | 2016-01-21 |
| 公开(公告)号: | CN107210373B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
| 发明(设计)人: | D·瓦克;Y-J·许 | 申请(专利权)人: | 联邦科学和工业研究组织 |
| 主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 谭冀 |
| 地址: | 澳大利*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 钙钛矿光 活性 器件 方法 | ||
1.形成平面型钙钛矿光活性器件的光活性层的方法,包括:
将至少一个第一前体溶液的层施加至衬底以在该衬底的至少一个表面上形成第一前体涂层,该第一前体溶液包含溶解在第一涂覆溶剂中的MX2和AX,其中摩尔比MX2:AX=1:n且0<n≤0.5;和
将第二前体溶液施加至该第一前体涂层以将该第一前体涂层转化为钙钛矿层AMX3,该第二前体溶液包含溶解在第二涂覆溶剂中的AX,该第一前体溶液与该第二前体溶液反应以在该衬底上形成钙钛矿层AMX3,由此形成平面型钙钛矿光活性器件的光活性层,
其中A包含铵基或其它含氮有机阳离子,M选自Pb、Sn、Ge、Ca、Sr、Cd、Cu、Ni、Mn、Co、Zn、Fe、Mg、Ba、Si、Ti、Bi或In,X选自F、Cl、Br或I中的至少一种,并且
其中MX2和AX可溶于该第一涂覆溶剂中,AX可溶于该第二涂覆溶剂中,并且MX2在该第二涂覆溶剂中具有低至零的溶解度。
2.根据权利要求1的方法,其中摩尔比MX2:AX=1:n且0.05≤n≤0.45。
3.根据权利要求1的方法,其中摩尔比MX2:AX=1:n且0.2≤n≤0.40。
4.根据权利要求1的方法,其中摩尔比MX2:AX=1:n且0.25≤n≤0.35。
5.根据权利要求1的方法,其中该方法还包括以下步骤:
在施加该第二前体溶液之前干燥该第一前体涂层。
6.根据权利要求5的方法,其中该干燥步骤包括空气干燥、对流干燥、退火、骤冷或其组合。
7.根据权利要求5的方法,其中该干燥步骤包括环境干燥、或热处理或其组合。
8.根据权利要求5的方法,其中该干燥步骤包括气体骤冷步骤。
9.根据权利要求1的方法,其中该方法还包括以下步骤:
在将该第二前体溶液施加至该第一前体涂层之前,使具有该第一前体涂层的衬底经受溶剂蒸气浸泡工艺。
10.根据权利要求9的方法,其中在将该第一前体溶液施加至衬底之后立即使该衬底经受溶剂蒸气浸泡工艺。
11.根据权利要求1的方法,其中该第一涂覆溶剂包含DMF、DMSO、γ-丁内酯、丙酮、乙酰丙酮、乙酰乙酸乙酯、NMP、DMAC、THF或其组合。
12.根据权利要求1的方法,其中该第二涂覆溶剂是包括异丙醇、正丁醇、异丁醇、乙醇、甲醇、乙酸、乙二醇、丙二醇、甘油、烯丙醇、炔丙醇、肌醇或其组合中的至少一种。
13.根据权利要求1的方法,其中AX中的A包含具有式(R1R2R3R4N)的有机阳离子,其中:
R1是氢,未取代或取代的C1-C20烷基,或未取代或取代的芳基;
R2是氢,未取代或取代的C1-C20烷基,或未取代或取代的芳基;
R3是氢,未取代或取代的C1-C20烷基,或未取代或取代的芳基;和
R4是氢,未取代或取代的C1-C20烷基,或未取代或取代的芳基。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





