[发明专利]改性胶体二氧化硅及其制造方法、以及使用其的研磨剂

权利要求书

1.一种改性胶体二氧化硅，其是微小颗粒的个数分布比率为10％以下的原料胶体二氧化硅经改性而成的，所述微小颗粒具有基于由使用扫描型电子显微镜的图像解析得到的Heywood径即圆当量直径的体积平均粒径的40％以下的粒径。

2.根据权利要求1所述的改性胶体二氧化硅，其是经阴离子改性而成的。

3.根据权利要求2所述的改性胶体二氧化硅，其是通过磺酸基改性而成的。

4.一种改性胶体二氧化硅的制造方法，其包括如下工序：

有机溶剂蒸馏去除工序，在pH7以上的条件下将与胶体二氧化硅共存的有机溶剂蒸馏去除，以使有机溶剂浓度为1质量％以上的胶体二氧化硅中的残留有机溶剂浓度低于1质量％，从而得到原料胶体二氧化硅；

改性工序，对所述原料胶体二氧化硅进行改性，得到改性胶体二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的改性胶体二氧化硅的制造方法，其中，前述改性工序包括如下工序：

第1反应工序，在具有能够化学转化成磺酸基的官能团的硅烷偶联剂的存在下，对所述原料胶体二氧化硅进行加热而得到反应物；

第2反应工序，通过处理所述反应物而将所述官能团转化为磺酸基。

6.根据权利要求5所述的改性胶体二氧化硅的制造方法，其中，所述官能团为巯基。

7.根据权利要求5或6所述的改性胶体二氧化硅的制造方法，其中，所述处理为使用了氧化剂的氧化处理。

8.根据权利要求7所述的改性胶体二氧化硅的制造方法，其中，所述氧化处理中的所述氧化剂的添加量相对于所述硅烷偶联剂的添加量为3～5摩尔倍，所得改性胶体二氧化硅中的残留氧化剂浓度为1000质量ppm以下。

9.根据权利要求7或8所述的改性胶体二氧化硅的制造方法，其中，所述氧化剂为过氧化氢。

10.根据权利要求5～9中任一项所述的胶体二氧化硅的制造方法，其中，在使90℃以上的温度条件持续30分钟以上的条件下实施所述第1反应工序。

11.根据权利要求5～10中任一项所述的胶体二氧化硅的制造方法，其中，在所述改性工序之前还包括如下工序：通过向所述原料胶体二氧化硅中添加碱溶液或有机溶剂而使所述原料胶体二氧化硅的粘度降低的工序。

12.一种改性胶体二氧化硅，其是经阴离子改性而成的改性胶体二氧化硅，

其中，在pH2的条件下对SiN晶圆实施浸渍处理，接着用纯水清洗时，附着于所述SiN晶圆的表面的具有低于体积平均粒径的40％的粒径的颗粒的个数相对于同样附着的具有体积平均粒径的40％以上的粒径的颗粒的个数为50％以下。

13.一种改性胶体二氧化硅，其是经阳离子改性而成的改性胶体二氧化硅，

其中，在pH4的条件下对铝硅酸盐玻璃晶圆实施浸渍处理，接着用纯水清洗时，附着于所述铝硅酸盐玻璃晶圆的表面的具有低于体积平均粒径的40％的粒径的颗粒的个数相对于同样附着的具有体积平均粒径的40％以上的粒径的颗粒的个数为50％以下。

14.根据权利要求12或13所述的改性胶体二氧化硅，其中，金属杂质的总含量为1质量ppm以下。

15.一种研磨剂，其包含权利要求1～3及12～14中任一项所述的改性胶体二氧化硅。