[发明专利]半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片

说明书

本发明涉及形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，对形成有电路和凸块的半导体晶片进行半切割后，对背面进行研削加工时将晶片厚度尽可能磨薄，保护凸块的凹凸部分的表面，并且能够将研磨后的半导体晶片容易分割成各个芯片。通过UV硬化型粘合层在紫外线照射之前维持高的粘结强度，而紫外线照射之后，容易剥离半导体芯片而且在剥离过程中不会将粘合剂残渣残留在半导体芯片表面，并且通过软质层，在半导体晶片半切割后的背面研削时确保凸块(Bump)及电路的埋设性，并且在研削(Grinding)工艺时保护凸块(Bump)和电路免遭外部的剪应力的破坏，从而防止凸块(Bump)或晶片开裂，另外，本发明具有以下效果，将基材层形成为以基材薄膜层、硬质层及表面粗糙薄膜层的顺序依次层叠的三层结构，从而在半导体晶片研削(Grinding)工艺时提高紫外线硬化型粘合片在晶片研削装置即承载盘(Chuck table)上的粘合力和结合力，由此能够使半导体晶片的厚度偏差达到最小。

技术领域

本发明涉及一种形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，当对形成有电路和凸块的半导体晶片进行半切割(Half-cutting或Half-Dicing)后，使其达到最终目标的半导体晶片厚度时，背面研削加工时将晶片厚度磨薄，保护凸块的凹凸部分的表面，并且能够将研削后的半导体晶片容易分割成各个芯片。

背景技术

随着由半导体晶片的薄膜化趋势，而使晶片厚度薄成50～100μm或50μm以下，因此半导体晶片的加工方法也从现有的DAG(Dicing After Grinding)施工法转向DBG(DicingBefore Grinding)施工法。在DBG施工法中，对形成有凸块(Bump)和电路的半导体晶片实施半切割之后，进行背面研削时，使用用于保护形成有凸块(Bump)和电路的表面的粘合片，将其称之为DBG用背面减薄胶带(Back Grinding Tape)。

DBG用背面减薄胶带(Back Grinding Tape)是起到以下作用胶带，在半导体制造工艺中，除去晶片背面的多余的膜，将厚的背面切削至所需厚度以上，从而减小阻抗，并且该DBG用背面减薄胶带粘合在为提高热导率而研磨加工的晶片背面，从而保护电路和凸块，通过半导体晶片研削而达到最终目标的单独每个芯片，无损伤地保持均匀排列的状态。

并且，如DBG用背面减薄胶带(Back Grinding Tape)那样，对用于半导体工艺中的胶带而言，粘合剂不能残留在晶片上，并且要求未被污染的物性，使用时按产品等级明确批号(LOT NO)标识，并且应避免薄膜外观被锥子或尖锐物损伤，而且应确认在切割面、卷绕面、外观上是否有污染。

另一方面，本申请人对要求如上所述物性的半导体晶片加工用粘合片的相关技术进行了开发，已被授权，具体为韩国授权专利公报第10-0323949号(2002年01月28日授权)，发明名称为紫外线硬化型粘合剂组合物及半导体晶片加工用粘合片，韩国授权专利公报第10-0737444号(2007年07月03日授权)，发明名称为半导体晶片切割用薄膜。

以前，本申请人的已被授权的韩国授权专利公报第10-0323949号(2002年01月28日授权)紫外线硬化型粘合剂组合物及半导体晶片加工用粘合片涉及一种基材、形成在基材之上的中间层以及形成在该中间层之上的紫外线硬化型粘合剂组合物和利用该组合物的半导体晶片加工用粘合片，其特征在于，当对半导体晶片实施超薄研削时，被适当地使用，并且在半导体晶片的研削加工后，通过紫外线的照射而使其容易剥离。

并且，以前，本申请人的已被授权的另一专利文献即韩国授权专利公报第10-0737444号(2007年07月03日授权)半导体晶片切割用薄膜，其特征在于，在由电晕处理层和切割扩展层双重结构构成的半导体晶片切割用薄膜中，作为所述半导体晶片切割用薄膜材料使用超低密度树脂和低密度树脂的混合树脂，在此添加无机滑石粉，从而在切割工艺后，使得芯片提取容易，电晕处理层的粘合剂的涂覆作业顺畅，并且在晶片切断工艺时，不会使薄膜熔融地贴附在切割刀刃上，从而能够顺畅地实施切断作业。