[发明专利]PTZT压电膜及其压电膜形成用液体组合物的制造方法

权利要求书

1.一种PTZT压电膜形成用液体组合物的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

使Ta醇盐、Zr醇盐、β-二酮类及二醇回流而使所述Ta醇盐和所述Zr醇盐与所述二醇反应来制备第1合成液；

向所述第1合成液中添加Ti醇盐并再次回流而使其反应来制备第2合成液；

向所述第2合成液中添加Pb化合物并进一步回流而使其反应来制备第3合成液；以及

从所述第3合成液去除溶剂之后，用醇稀释来制造第4合成液即PTZT压电膜形成用液体组合物，

所述PTZT压电膜形成用液体组合物在将总计所述Ta醇盐、所述Zr醇盐及所述Ti醇盐的量设为1摩尔时，分别以成为7～11摩尔、1.5～3.0摩尔的比例包含所述二醇、所述β-二酮类，

所述PTZT压电膜形成用液体组合物的金属原子比Pb：Ta：Zr：Ti满足1.00～1.25：0.01～0.04：0.40～0.60：0.40～0.60。

2.一种PTZT压电膜的形成方法，其包括以下工序：

将通过权利要求1所述的方法制造的PTZT压电膜形成用液体组合物涂布到基板的取向控制膜上并进行干燥，由此形成PTZT前体膜；

预烧结所述PTZT前体膜；以及

烧成所述预烧结后的PTZT前体膜，

所述PTZT前体中的金属原子比Pb：Ta：Zr：Ti满足1.00～1.25：0.01～0.04：0.40～0.60：0.40～0.60。

3.一种PTZT压电膜，通过权利要求2所述的方法来制造，其由含有Pb、Ta、Zr及Ti的钙钛矿型结构的金属氧化物构成，所述金属氧化物还含有碳，所述碳的含量为80～800质量ppm，

Ta原子相对于总计Zr原子和Ti原子的金属原子的比例在0＜Ta≤0.04的范围。

4.一种电子组件，其具有权利要求3所述的PTZT压电膜。