[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

提供能够良好地除去附着在基板上表面的颗粒物等的基板处理方法以及执行该方法的基板处理装置。依次执行：水池形成工序S3，在基板W的上表面形成冲洗液的液膜F；接触工序S4，使具有形成有多个空隙部135的网构件134的构件13与液膜F接触；颗粒物捕捉工序S5，利用在冲洗液、环境气体A以及构件13的网构件134的内缘相交的三相界面产生的界面自由能，在该冲洗液的液膜F内产生对流，从而使网构件134的侧面134b捕捉颗粒物。

技术领域

本发明涉及用于使用处理液对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。成为处理对象的基板例如包括半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等。更具体地，涉及用于除去附着在基板表面的异物的基板清洗技术。

背景技术

通常，以如下方式对基板进行清洗。首先，向旋转的基板的表面供给SC1等药液，以使得附着在基板的表面的颗粒物溶解或剥离而脱离(药液供给工序)。接下来，向基板的表面供给纯水等冲洗液，以使得在基板的表面形成冲洗液的液膜，从而使所述颗粒物溶解在冲洗液的液膜中(冲洗工序)。最后，通过使基板高速旋转，将离心力作用于冲洗液的液膜，从而从基板的表面排除该液膜。由此，将所述颗粒物连同冲洗液一起从基板的表面除去(旋转干燥工序)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-209087号公报

发明内容

发明要解决的问题

图7是旋转干燥工序开始前基板的表面的示意图。在基板W的上表面W1形成有凸状的电路图案W2。将冲洗液的液膜F保持在上表面W1。在液膜F中包含从基板W的上表面W1脱离的颗粒物P。

图8是实施旋转干燥工序中的基板W的示意图。由于离心力作用于液膜的上层区域F2，因此使其飞散而从基板W排除。但是，基板附近的下层区域F1与基板W联动，与基板W向相同的方向以大致相同的速度旋转。因此，在下层区域F1中，处理液不流动而滞留下来。其结果，没有将下层区域F1从基板排除，下层区域F1中的颗粒物P残留于基板W。因此，不能高精度地清洗基板W。

本发明的目的在于解决上述问题，即，提供能够良好地除去基板附近的液体中存在的颗粒物的基板处理方法以及基板处理装置。

解决问题的技术手段

为了解决上述问题，第一方式的基板处理方法包括：

处理液供给工序，在以将一主表面朝向上方的方式支撑所述基板的状态下，向所述基板的所述一主表面供给处理液；

液膜保持工序，将处理液的液膜保持在所述基板的所述一主表面上；

接触工序，使具有设有多个第一开口的一面和设有与所述多个第一开口连通的一个以上的第二开口的另一面的构件中的所述一面与所述液膜的上表面接触。

第二方式的基板处理方法，在第一方式所述的基板处理方法中，

在所述接触工序中，所述多个第一开口中的两个以上的第一开口与所述液膜的上表面接触。

第三方式的基板处理方法，在第一方式或第二方式的基板处理方法中，

在所述接触工序中，对所述构件进行加热。

第四方式的基板处理方法，在第一方式至第三方式中任一项所述的基板处理方法中，

在所述接触工序中，根据所述液膜的厚度来调整所述构件的高度位置。

第五方式的基板处理装置具备：

基板支撑部，以将一主表面朝向上方的方式支撑所述基板；