[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680004883.0 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107112370B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 阿形泰典;高桥英纪;御田村直树;岛村亚希;尾崎大辅 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/322;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一导电型的漂移区，其具有通过电子射线的照射而产生的晶体缺陷；
第一导电型的第一主电极区，其配置于所述漂移区的一部分，该第一主电极区的杂质浓度比所述漂移区的杂质浓度高；以及
第二导电型的第二主电极区，其以与所述第一主电极区相离的方式配置于所述漂移区的另一部分，
其中，所述晶体缺陷包括由空位和氧构成的第一复合缺陷以及由碳和氧构成的第二复合缺陷，所述晶体缺陷的缺陷密度被设定为：在深能级瞬态谱法的测定中鉴定的所述第一复合缺陷的能级的信号峰强度为所述第二复合缺陷的能级的信号峰强度的5倍以上，
其中，在所述深能级瞬态谱法的测定中鉴定的所述第二复合缺陷的能级的信号峰强度相对于位于所述第二复合缺陷的能级的信号峰与由两个空位构成或者由两个空位和氧构成的第三复合缺陷的能级的信号峰之间的谷的峰强度的比被设定为1.0～1.5的范围，且所述第三复合缺陷的能级的信号峰强度相对于所述谷的峰强度的比被设定为2.0～2.5的范围。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具备控制电极构造，该控制电极构造用于对在所述漂移区行进的载流子的移动进行控制。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述控制电极构造具备：
第二导电型的基区，其至少设置于所述第一主电极区与所述漂移区之间；以及
栅极电极，其以静电方式对该基区中的电位进行控制，来控制所述载流子的移动。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一主电极区配置于所述漂移区的上表面，
所述第二主电极区配置于所述漂移区的背面。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述控制电极构造还具备栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜设置于贯通所述基区后到达所述漂移区的上部的凹部的内表面，该栅极绝缘膜被夹在所述基区与所述栅极电极之间，
所述控制电极构造通过所述栅极电极并经由所述栅极绝缘膜以静电方式对所述基区的电位进行控制。
6.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一导电型的漂移区，其具有通过电子射线的照射而产生的晶体缺陷；
第一导电型的第一主电极区，其配置于所述漂移区的一部分，该第一主电极区的杂质浓度比所述漂移区的杂质浓度高；以及
第二导电型的第二主电极区，其以与所述第一主电极区相离的方式配置于所述漂移区的另一部分，
其中，所述晶体缺陷包括由空位和氧构成的第一复合缺陷以及由碳和氧构成的第二复合缺陷，所述晶体缺陷的缺陷密度被设定为：在深能级瞬态谱法的测定中鉴定的所述第一复合缺陷的能级的信号峰强度为所述第二复合缺陷的能级的信号峰强度的5倍以上，
其中，在所述深能级瞬态谱法的测定中鉴定的所述第二复合缺陷的能级的信号峰强度相对于位于所述第二复合缺陷的能级的信号峰与由两个空位构成或者由两个空位和氧构成的第三复合缺陷的能级的信号峰之间的谷的峰强度的比被设定为1.6～2.0的范围，且所述第三复合缺陷的能级的信号峰强度相对于所述谷的峰强度的比被设定为2.6～3.0的范围。
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