[发明专利]宽带隙半导体基板的缺陷检查方法和缺陷检查装置

权利要求书

1.一种缺陷检查装置，其对产生在形成于宽带隙半导体基板上的外延层中的缺陷进行检查，其特征在于，

该缺陷检查装置具有：

激发光照射部，其朝向所述外延层照射激发光；

光分支部，其将因从所述激发光照射部照射的激发光照射到所述外延层而发出的光致发光分支成第1分支光和第2分支光；

第1拍摄部，其将通过所述光分支部而被分支的所述第1分支光拍摄为黑白图像；

第2拍摄部，其将通过所述光分支部而被分支的所述第2分支光拍摄为彩色图像；以及

缺陷检查部，其根据所述第1拍摄部所拍摄的图像的灰度信息与所述第2拍摄部所拍摄的图像的颜色信息的组合，对产生在所述外延层中的结晶构造的缺陷进行检查，

所述缺陷检查部具有：

缺陷候选提取部，其根据所述第1拍摄部所拍摄的黑白图像的灰度信息来提取缺陷候选；

缺陷判别部，其判别所述缺陷候选是否是堆垛层错缺陷；以及

缺陷种类分类部，其针对由所述缺陷判别部判别为堆垛层错缺陷的部位，根据所述第2拍摄部所拍摄的所述彩色图像的颜色信息而对缺陷种类进行细分类，

所述光分支部将比作为分支基准的波长靠长波长侧的波段的光分支为所述第1分支光，

将比作为该分支基准的波长靠短波长侧的波段的光分支为所述第2分支光。

2.一种缺陷检查装置，其对产生在形成于宽带隙半导体基板上的外延层中的缺陷进行检查，其特征在于，

该缺陷检查装置具有：

激发光照射部，其朝向所述外延层照射激发光；

光分支部，其将因从所述激发光照射部照射的激发光照射到所述外延层而发出的光致发光分支成第1分支光和第2分支光；

第1拍摄部，其将通过所述光分支部而被分支的所述第1分支光拍摄为黑白图像；

第2拍摄部，其将通过所述光分支部而被分支的所述第2分支光拍摄为彩色图像；以及

缺陷检查部，其对产生在所述外延层中的结晶构造的缺陷进行检查，

所述缺陷检查部具有：

缺陷候选提取部，其根据所述第1拍摄部所拍摄的图像的灰度差进行边缘提取而检测缺陷候选的外缘，将该外缘所包围的部位提取为缺陷候选；

缺陷判别部，其根据所述缺陷候选的形状信息来判别该缺陷候选是否是堆垛层错缺陷；以及

缺陷种类分类部，其针对由所述缺陷判别部判别为堆垛层错缺陷的部位，根据所述第2拍摄部所拍摄的所述彩色图像的颜色信息而对缺陷种类进行细分类，

所述光分支部将比作为分支基准的波长靠长波长侧的波段的光分支为所述第1分支光，

将比作为该分支基准的波长靠短波长侧的波段的光分支为所述第2分支光。

3.根据权利要求1或2所述的缺陷检查装置，其特征在于，

所述缺陷检查部细分类成所述堆垛层错缺陷中的1SSF、2SSF、3SSF或者4SSF中的任意缺陷。

4.根据权利要求1或2所述的缺陷检查装置，其特征在于，

所述缺陷判别部还对所述缺陷候选是否是基底面位错进行判别。