[发明专利]自立基板、功能元件及其制造方法

权利要求书

1.一种自立基板，其包括第一氮化物层和第二氮化物层，该第一氮化物层是通过氢化物气相生长法或氨热法培养得到的且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物，该第二氮化物层通过钠助熔剂法在所述第一氮化物层上培养得到且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物，

所述自立基板的特征在于，

所述第一氮化物层中，排列有多个在所述第一氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，

所述第二氮化物层中，排列有多个在所述第二氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，

所述第一氮化物层的厚度大于所述第二氮化物层的厚度。

2.根据权利要求1所述的自立基板，其特征在于，

当所述第一氮化物层的厚度为T、所述第二氮化物层的厚度为t时，T/t为2以上。

3.根据权利要求2所述的自立基板，其特征在于，

所述T/t为4以上。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的自立基板，其特征在于，

所述第一氮化物层的厚度为100μm以上。

5.根据权利要求1～3中的任意一项所述的自立基板，其特征在于，

所述第一氮化物层中，所述单晶粒子具有与大致法线方向基本一致的晶体取向，所述第二氮化物层中，所述单晶粒子具有与大致法线方向基本一致的晶体取向。

6.根据权利要求1～3中的任意一项所述的自立基板，其特征在于，

所述自立基板的表面的通过电子背散射衍射法的反极图映射测定得到的各单晶粒子的晶体取向相对于特定晶体取向以各种角度倾斜而分布，其平均倾斜角为1～10°，所述特定晶体取向为c面或m面。

7.根据权利要求1～3中的任意一项所述的自立基板，其特征在于，

所述第一氮化物层的电阻率低于所述第二氮化物层的电阻率。

8.根据权利要求7所述的自立基板，其特征在于，

所述第一氮化物层的电阻率为30mΩ·cm以下。

9.根据权利要求1～3中的任意一项所述的自立基板，其特征在于，

所述单晶粒子中掺杂有n型掺杂物或p型掺杂物。

10.根据权利要求1～3中的任意一项所述的自立基板，其特征在于，

所述单晶粒子不包含掺杂物。

11.根据权利要求1～3中的任意一项所述的自立基板，其特征在于，

所述第二氮化物层的所述单晶粒子中掺杂有锌。

12.一种功能元件，其特征在于，

包括权利要求1～11中的任意一项所述的自立基板、和形成在该自立基板上的功能层，

该功能层包含半导体。

13.根据权利要求12所述的功能元件，其特征在于，

构成所述半导体的单晶粒子具有基本仿照所述自立基板的择优晶体取向进行生长而成的晶体取向。

14.根据权利要求12所述的功能元件，其特征在于，

构成所述功能层的所述半导体包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物。

15.根据权利要求12～14中的任意一项所述的功能元件，其特征在于，

所述功能层具有发光功能。

16.根据权利要求12～14中的任意一项所述的功能元件，其特征在于，

所述功能层具有整流功能。

17.根据权利要求12～14中的任意一项所述的功能元件，其特征在于，

所述功能层具有电力控制功能。