[发明专利]静磁场均匀度调整方法、静磁场均匀度调整装置以及计算机

说明书

为了提供一种能够在磁场均匀度调整中减少磁性体片的配置量，且能够高精度地达成期望的磁场均匀度的静磁场均匀度调整方法，对于通过磁场产生装置产生的摄像空间中的静磁场，通过匀场计算来计算多个磁性体片从所述摄像空间离开的位置，将所述多个磁性体片配置在通过该匀场计算得到的位置，从而调整所述摄像空间中的静磁场均匀度，该方法的特征在于，包括：调整步骤，在所述匀场计算时，施加使配置于所述位置的所述磁性体片在所述摄像空间生成的磁场分布的极性为正负中的任一者这样的制约，来调整所述静磁场均匀度。

技术领域

本发明涉及磁共振成像装置、静磁场均匀度调整方法、程序以及计算机。

背景技术

对于搭载于磁共振成像(MRI)装置的磁场产生装置，在磁场中心附近的摄像空间(FOV：Field of View)中，要求高的磁场均匀度(例如，磁场的最大值与最小值之差为数ppm以下)。但是，实际上，因MRI装置的制造阶段的制作尺寸误差的影响、设置MRI装置的周围的磁性体的影响，该高的磁场均匀度会被打乱。

因此，在MRI装置中，要对FOV中的磁场强度的均匀度进行细微调整(以下，称为匀场，shimming)。匀场之一有将补正用的磁性体的匀场体片(以下，称为磁性体片)配置在FOV的周边来对静磁场分布进行微调整的无源匀场。无源匀场是通过最优化计算将适当的量的磁性体片配置在适当的位置，从而将FOV的静磁场分布调整成期望的均匀度的手法(例如，参照专利文献1以及2)。即，利用磁场中配置的磁性体片的磁矩所生成的磁场分布来调整FOV的静磁场分布的均匀度。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2014-4169号公报

专利文献2：JP特开2011-115480号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在专利文献1、2中，并没有考虑与磁性体片的配置位置相应地在FOV生成的磁矩的磁场分布，特别是没有考虑极性发生变化这一情况。其结果是，在多次进行的匀场中，存在以下问题，即，在比初次的匀场中使用的磁性体片的总铁量充分变少了的情况下(例如，十分之一以下)所进行的微调整匀场中，有时反倒磁性体片的配置量会变多。

例如，在圆筒形的电磁铁中，配置在距FOV较远的腔开口部附近的磁性体片虽然相对于FOV的静磁场产生正向的磁场，但是由于距FOV的距离远，因此静磁场的调整能力低。另一方面，虽然距FOV较近的区域的磁性体片相对于FOV的静磁场产生负向的磁场，但是由于距FOV的距离近，因此静磁场的调整能力高。因此，若从距FOV较远的腔开口部附近一直到距FOV较近的区域配置多个磁性体片，则这些磁性体片作用下的静磁场调整能力被抵销，有时磁性体片的配置量会变多。

这样，若磁性体片的配置量变多，则离散化误差会变大，匀场的精度会变低，从而有时无法达成期望的磁场均匀度。此外，若磁性体片的配置量变多，则容易引起配置位置的错误等，有时微调整匀场的作业性会降低。

本发明想要解决的课题是，提供一种能够在磁场均匀度调整中减少磁性体片的配置量，且能够高精度地达成期望的磁场均匀度的磁共振成像装置的静磁场均匀度调整方法。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明是一种方法，对于由磁场产生装置产生的摄像空间中的静磁场，通过匀场计算来计算多个磁性体片从所述摄像空间离开的位置，将所述多个磁性体片配置在通过该匀场计算得到的位置，从而调整所述摄像空间中的静磁场均匀度，该方法的特征在于，包括：调整步骤，在所述匀场计算时，施加使配置在所述位置的所述磁性体片在所述摄像空间生成的磁场分布的极性为正负中的任一者这样的制约，来调整所述静磁场均匀度。