[发明专利]TOF距离传感器

权利要求书

1.一种TOF距离传感器(40)，该TOF距离传感器

-用于通过接收由物体反射的辐射(23)检测至该物体(22)的距离，该辐射来自利用调制频率调制的发射源(20)，

-具有像素矩阵(41)，用于记录像素图像，该像素矩阵由解调像素(50)组成，该解调像素用于在背面接收辐射，解调像素分别具有：

-转换区域(60)，用于从接收到的辐射产生载流子(25)，

-分隔器件(70)，用于根据调制频率分隔载流子，

-屏障(80)，所述屏障用于关于载流子将转换区域与分隔器件隔离，以及

-屏障孔(81)，用于使载流子从转换区域通过进入分隔器件中，

其中，

-每至少两个解调像素形成公共的屏障孔(82)，其特征在于，

-所述分隔器件包括用于将载流子从转换区域吸引到分隔区域中的漂移栅，以及

-形成公共的屏障孔的解调像素：

-分别形成至少一个公共的漂移栅，具体地，

-分别形成至少一个公共的漂移栅(72)和单独配属的漂移栅(71)，其中单独配属的漂移栅(71)以电隔离的方式与公共的漂移栅(72)交叠，并且单独配属的漂移栅(71)和公共的漂移栅(72)如同单个漂移栅地起作用，其中单独配属的漂移栅被加载比公共的漂移栅更高的电势，从而促使光电子从公共的漂移栅前往单独配属的漂移栅。

2.根据权利要求1所述的TOF距离传感器，其特征在于，公共的屏障孔形成封闭的周部。

3.根据权利要求1或2所述的TOF距离传感器，其特征在于，

-解调像素分别具有电子的评估区域(90)，和

-每至少两个解调像素形成空间上公共的评估区域(91)。

4.根据权利要求1或2所述的TOF距离传感器，其特征在于，

-每四个解调像素形成公共的屏障孔，以及

-每四个解调像素形成空间上公共的评估区域。

5.根据权利要求4所述的TOF距离传感器，其特征在于，屏障孔和评估区域形成棋盘图案。

6.根据权利要求1或2所述的TOF距离传感器，其特征在于，

-转换区域(60)由以下部分形成：

-掺杂的基底(61)，和/或

-透明的背面电极(62)，用于使基底贫化。

7.据权利要求6所述的TOF距离传感器，其特征在于，所述掺杂的基底(61)是n--型掺杂的半导体基底。

8.根据权利要求1或2所述的TOF距离传感器，其特征在于，

-分隔器件(70)具有：

-位于基底(61)的顶侧上的至少一个漂移栅(71)，用于将载流子(25)从转换区域(60)吸引到分隔器件(70)中，和/或

-位于基底的顶侧上的至少一个调制栅(73)，用于相应于调制频率交替地将载流子从漂移栅向调制栅引导，和/或

-位于基底的顶侧上、分别配属于调制栅的至少一个存储栅(74)，用于收集向配属的调制栅引导的载流子，和/或

-位于基底的顶侧上、分别配属于存储栅的至少一个传输栅(75)，用于将在存储栅上收集的载流子间歇地转送到浮动扩散区，和/或

-位于基底的顶侧中、分别配属于传输栅的至少一个浮动扩散区(76)，用于接纳由传输栅转送的载流子，以及用于将该载流子作为电压馈送到评估区域中。

9.根据权利要求8所述的TOF距离传感器，其特征在于，

所述调制栅(73)位于漂移栅的相对位置。

10.根据权利要求8所述的TOF距离传感器，其特征在于，

所述调制栅(73)是两个。

11.根据权利要求8所述的TOF距离传感器，其特征在于，

所述存储栅(74)是两个。