[发明专利]成膜装置以及成膜工件制造方法有效
申请号: | 201680000765.2 | 申请日: | 2016-02-29 |
公开(公告)号: | CN107429385B | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 福冈洋太郎;八木聡介 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置株式会社 |
主分类号: | C23C14/50 | 分类号: | C23C14/50 |
代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马爽;臧建明<国际申请>=PCT/JP2 |
地址: | 日本神奈川县横*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 以及 工件 制造 方法 | ||
1.一种成膜装置,其特征在于包括:
包含平面的成膜材料的靶材;
电源部,将电力施加至所述靶材;
自转部,使作为成膜对象的具有成膜对象面的工件,以与所述成膜对象面交叉的自转轴为中心而自转;以及
公转部,使所述自转部以与所述自转轴不同的公转轴为中心而公转,借此使所述工件反复地接近与远离所述靶材,
自转过程中及公转过程中的所述自转轴固定于使与所述自转轴正交的自转轨道面相对于与所述公转轴正交的公转轨道面呈第1倾斜角度的角度,
所述靶材固定于使所述平面相对于所述公转轨道面呈第2倾斜角度的角度,
所述第1倾斜角度与所述第2倾斜角度大于0°且不足90°,
所述自转轨道面包含所述成膜对象面,且以所述成膜对象面朝向所述公转轴而向内且朝向所述公转轴而向上的方式倾斜。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其中所述第1倾斜角度为在所述自转部最接近所述靶材的位置,所述自转轴不与所述靶材的所述平面平行的角度。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其中所述第1倾斜角度为在所述自转部最远离所述靶材的位置,所述自转轨道面与所述靶材的所述平面平行的角度。
4.根据权利要求1所述的成膜装置,其中所述第1倾斜角度与所述第2倾斜角度相同。
5.根据权利要求1所述的成膜装置,其中由所述自转部引起的所述工件自转的旋转速度比由所述公转部引起的所述工件公转的旋转速度更快。
6.根据权利要求1所述的成膜装置,其配设有多个所述靶材。
7.根据权利要求1所述的成膜装置,其配设有多个所述自转部。
8.根据权利要求1所述的成膜装置,其设置有可改变与所述公转轴正交的方向的位置的所述自转部。
9.根据权利要求1所述的成膜装置,其中所述第1倾斜角度设定为可变。
10.一种成膜工件制造方法,其特征在于包括如下步骤:
一面使由自转部的自转轴所支持的作为成膜对象的具有成膜对象面的工件,以与所述成膜对象面交叉的所述自转轴为中心而自转,一面由支持所述自转部的公转部使所述工件以与所述自转轴不同的公转轴为中心而公转;以及
由电源部将电力施加至成膜材料的靶材,借此使导入至所述靶材的平面周围的溅镀气体等离子体化,使所述成膜材料堆积于所述工件的成膜对象面;并且
与所述自转轴正交的自转轨道面相对于与所述公转轴正交的公转轨道面,具有在成膜过程中固定的第1倾斜角度,
所述靶材固定于使所述平面相对于所述公转轨道面呈第2倾斜角度的角度,
所述第1倾斜角度与所述第2倾斜角度大于0°且不足90°,
所述自转轨道面包含所述成膜对象面,且以所述成膜对象面朝向所述公转轴而向内且朝向所述公转轴而向上的方式倾斜。
11.根据权利要求10所述的成膜工件制造方法,其中所述公转部通过使所述自转部公转来使所述工件反复地接近与远离所述靶材。
12.根据权利要求10或11所述的成膜工件制造方法,其中所述第1倾斜角度为在所述自转部最接近所述靶材的位置,所述自转轴不与所述靶材的所述平面平行的角度。
13.根据权利要求10所述的成膜工件制造方法,其中所述第1倾斜角度为在所述自转部最远离所述靶材的位置,所述自转轨道面与所述靶材的所述平面平行的角度。
14.根据权利要求10所述的成膜工件制造方法,其中由所述自转轴所支持的所述工件将角度与所述自转轨道面平行的面、及角度与所述自转轨道面正交的面作为成膜对象。
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