[实用新型]一种基于FBG构建非本征F‑P谐振腔和磁流体的磁场传感器有效
| 申请号： | 201621488040.6 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN206362915U | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 包立峰;杨晶;刘昭鑫;董新永 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 fbg 构建 谐振腔 流体 磁场 传感器 | ||
1.一种基于FBG构建非本征F-P谐振腔和磁流体的磁场传感器，其特征在于：由宽带光源(1)，单模光纤(2)，第一光纤光栅(3)，第二光纤光栅(4)，毛细石英玻璃管(5)，磁流体(6)，环氧树脂(7)，微位移平台(8)，磁场发生器(9)，光谱仪(10)组成；宽带光源(1)通过单模光纤(2)与第一光纤光栅(3)左端相连；第一光纤光栅(3)，第二光纤光栅(4)，毛细石英玻璃管(5)，磁流体(6)和环氧树脂(7)共同构成了磁敏感探头，其中第一光纤光栅(3)右端与第二光纤光栅(4)左端轴向对准后设置微米量级的间隔置于毛细石英玻璃管(5)内形成非本征F-P谐振腔，毛细石英玻璃管(5)内部填充磁流体(6)两端通过环氧树脂(7)密封；磁敏感探头夹持在微位移平台(8)上，水平置于磁场发生器(9)中部，并通过单模光纤(2)与光谱仪(10)相连。
2.根据权利要求1所述的一种基于FBG构建非本征F-P谐振腔和磁流体的磁场传感器，其特征在于：所述的第一光纤光栅(3)和第二光纤光栅(4)由栅区长度10mm～12mm，中心波长为1548nm～1552nm，光栅反射率大于85％，3dB带宽小于0.25nm，边模抑制比大于12dB的光纤光栅等分切割形成。
3.根据权利要求1所述的一种基于FBG构建非本征F-P谐振腔和磁流体的磁场传感器，其特征在于：所述的第一光纤光栅(3)和第二光纤光栅(4)端面之间的间距为10μm～30μm。
4.根据权利要求1所述的一种基于FBG构建非本征F-P谐振腔和磁流体的磁场传感器，其特征在于：所述的磁流体(6)的基液为H2O，纳米Fe3O4颗粒的平均半径为10nm，浓度为1％。
5.根据权利要求1所述的一种基于FBG构建非本征F-P谐振腔和磁流体的磁场传感器，其特征在于：所述的毛细石英玻璃管(5)的内径为127μm～150μm。
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