[实用新型]一种新型多晶硅片清洗机

说明书

技术领域

本实用新型涉及清洗设备技术领域，具体为一种新型多晶硅片清洗机。

背景技术

目前，超声波清洗的目的主要是清除多晶硅表面的沾污，如微粒，有机物，无机金属离子、氧化层等杂质。多晶硅表面吸附杂质的主要原因是，多晶硅表面原子垂直向上的化学键被破坏成为悬空键，在多晶硅表面形成自由力场，极易吸附各种杂质。这些杂质和多晶硅之间迅速形成化学吸附，难以去除。在生产多晶硅的生产工艺过程中，其中的一个重要环节，是采用超声波清洗应用技术，但是一般超声波清机洗清洗效率低，且检验不合格产品需重头清洗，使清洗效率变低，且一次只能清洗一批多晶硅片。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型多晶硅片清洗机，以解决上述背景技术中提出的问题，所具有的有益效果是：通过超声波刻蚀槽、超声波碱洗槽和超声波酸洗槽依次对多晶硅片清洗，可有效去除晶片表面污物，清洗效率高。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型多晶硅片清洗机，包括外壳、超声波刻蚀槽、超声波碱洗槽和超声波酸洗槽，所述外壳外壁开设有返洗口，且返洗口下端设置有加液板，所述外壳右侧固定有PLC控制器，所述外壳内部固定有导轨，且导轨与滑块滑动连接，所述滑块下端连接有伸缩杆，且伸缩杆另一端固定有机械爪，所述机械爪通过提手与清洗篮固定，且清洗篮左右两侧分别开设有进料口和出料口，所述清洗篮下端设置有换位板，所述换位板通过滑轨与外壳滑动连接，且滑轨固定于外壳内壁，所述超声波刻蚀槽、超声波碱洗槽和超声波酸洗槽固定于外壳底部，且超声波刻蚀槽、超声波碱洗槽和超声波酸洗槽右侧均固定有漂洗槽，所述漂洗槽上方均安装有吹风口。

优选的，所述进料口和出料口下方开设有排气口。

优选的，所述清洗篮设置有三个，且清洗篮小于清洗槽。

优选的，所述超声波刻蚀槽、漂洗槽、超声波碱洗槽和超声波酸洗槽内均规定有液位计。

优选的，所述加液板通过销轴与外壳转动连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该设备通过PLC控制控制滑块、伸缩杆和机械爪，使清洗篮依次通过超声波刻蚀槽、超声波碱洗槽和超声波酸洗槽清洗，动作平稳，再通过超声波刻蚀槽、超声波碱洗槽和超声波酸洗槽清洗后通过吹风口出风进行干燥后进入漂洗槽清洗，通过换位板在外壳内滑动使机械手松开清洗篮放在换位板，通过后一个机械手抓取在后一个清洗槽中进行清洗，通过传动方式清洗，清洗效率高。

附图说明

图1为本实用新型内部的结构示意图；

图2为本实用新型的主视图。

图中：1-外壳；2-滑块；3-吹风口；4-导轨；5-伸缩杆；6-提手；7-机械爪；8-进料口；9-清洗篮；10-排气口；11-超声波刻蚀槽；12-漂洗槽；13-超声波碱洗槽；14-换位板；15-超声波酸洗槽；16-出料口；17-滑轨；18-返洗口；19-加液板；20-PLC控制器。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1和图2，本实用新型提供的一种实施例：一种新型多晶硅片清洗机，包括外壳1、超声波刻蚀槽11、超声波碱洗槽13和超声波酸洗槽15，外壳1外壁开设有返洗口18，且返洗口18下端设置有加液板19，外壳1右侧固定有PLC控制器20，外壳1内部固定有导轨4，且导轨4与滑块2滑动连接，滑块2下端连接有伸缩杆5，且伸缩杆5另一端固定有机械爪7，机械爪7通过提手6与清洗篮9固定，且清洗篮9左右两侧分别开设有进料口8和出料口17，清洗篮9下端设置有换位板14，换位板14通过滑轨18与外壳1滑动连接，且滑轨18固定于外壳1内壁，超声波刻蚀槽11、超声波碱洗槽13和超声波酸洗槽15固定于外壳1底部，且超声波刻蚀槽11、超声波碱洗槽13和超声波酸洗槽15右侧均固定有漂洗槽12，漂洗槽12上方均安装有吹风口3，进料口8和出料口17下方开设有排气口10，清洗篮9设置有3个，且清洗篮9小于清洗槽，超声波刻蚀槽11、漂洗槽12、超声波碱洗槽13和超声波酸洗槽15内均规定有液位计，加液板19通过销轴与外壳1转动连接。