[实用新型]InGaAs/Ge双结太阳能电池

权利要求书

1.一种InGaAs/Ge双结太阳能电池，其特征在于，包括:Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、InGaAs/Ge双结太阳能电池层、接触层、反射膜，其中所述Ge外延层中Ge为LRC晶体；

其中，所述InGaAs/Ge双结太阳能电池层包括依次层叠于所述Ge外延层上的Ge基区、Ge发射区、Al_0.2Ga_0.8As第一窗口层、GaAs隧道结、In_0.49Ga_0.51P电池背场、In_0.01Ga_0.99As基区、In_0.01Ga_0.99As发射区、Al_0.53Ga_0.47As第二窗口层。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述InGaAs/Ge双结太阳能电池还包括接触电极，所述接触电极包括位于所述Si衬底层之下的负电极和位于所述接触层上的正电极。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述Si衬底为单晶Si衬底片，厚度为2μm。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述Ge外延层厚度为500nm。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述Ge基区厚度为800nm；所述Ge发射区厚度为500nm。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述In_0.01Ga_0.99As基区厚度为3um；所述In_0.01Ga_0.99As发射区厚度为0.6um。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述LRC晶体采用激光再晶化工艺制备生成。

8.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述接触层材料为GaAs，厚度为0.5um。

9.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述反射膜材料为 MgF₂/ZnS。