[实用新型]一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器有效
| 申请号： | 201621454951.7 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN206272576U | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李锐敏;龚亮;邹华英 | 申请（专利权）人： | 湖南工程职业技术学院 |
| 主分类号： | H03F3/217 | 分类号： | H03F3/217;H03F3/193 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所43205 | 代理人： | 姜芳蕊 |
| 地址： | 410151 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 cmos 工艺 实现 射频 功率放大器 | ||
1.一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，包括输入电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、第五开关电路和输出电路，其特征在于，所述输入电路的输出端与第一放大电路的输入端连接，且第一放大电路的输出端分别与第四开关电路、第三开关电路和第一开关电路的一端连接，所述第四开关电路的另一端与输出电路连接，且第三开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接，所述第三放大电路的输出端与输出电路连接，所述第一开关电路的另一端与第二放大电路的输入端连接，且第二放大电路的输出端分别与第五开关电路和第二开关电路的一端连接，所述第五开关电路的另一端与输出电路连接，且第二开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接。
2.根据权利要求1所述的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，所述第一放大电路包括两个反相器和两个CMOS晶体管，两个反相器级联，构成第一反相器组，两个CMOS晶体管层叠相连，构成第一CMOS晶体管组，第一反相器组与第一CMOS晶体管组连接，第一反相器组用于驱动第一CMOS晶体管组。
3.根据权利要求1所述的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，所述第二放大电路包括三个反相器和三个CMOS晶体管，三个反相器级联，构成第二反相器组，三个CMOS晶体管层叠相连，构成第二CMOS晶体管组，第二反相器组与第二CMOS晶体管组连接，第二反相器组用于驱动第二CMOS晶体管组。
4.根据权利要求1所述的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，所述第三放大电路包括四个反相器和四个CMOS晶体管，四个反相器级联，构成第三反相器组，四个CMOS晶体管层叠相连，构成第三CMOS晶体管组，第三反相器组与第三CMOS晶体管组连接，第三反相器组用于驱动第三CMOS晶体管组。
5.根据权利要求2或3或4所述的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，每个反相器的输入端与输出端之间连接有偏压电阻。
6.根据权利要求2或3或4所述的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，每个CMOS晶体管的衬底与源极之间连接有偏压电阻。
7.根据权利要求1所述的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路和第五开关电路均连接有控制芯片，且控制芯片为型号为AT89C51的单片机。
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