[实用新型]过流保护电路、电机和空调器

权利要求书

1.一种过流保护电路，适用于被功率模块驱动的电机，所述过流保护电路包括电连接的采样模块、比较模块和参考模块，所述比较模块对所述采样模块的采样信号和所述参考模块的参考信号进行比较，并将比较结果输出至功率模块的过流保护端，其特征在于，所述过流保护电路包括：

温敏电阻，与分压电阻串联设于所述参考模块中，所述温敏电阻的阻值随着温度线性变化，以使所述参考模块输出任一温度对应的一个分压值，

其中，任一所述分压值小于所述电机的退磁电流对应的电压值。

2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，

所述温敏电阻为负温度系数温敏电阻时，所述分压电阻和所述负温度系数温敏电阻依次串联连接于第一直流源和地线之间，

所述参考模块输出的分压值与所述负温度系数温敏电阻的阻值正相关。

3.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，

所述温敏电阻为正温度系数温敏电阻时，所述正温度系数温敏电阻和所述分压电阻依次串联连接于第一直流源和地线之间，

所述参考模块输出的分压值与所述分压电阻的阻值正相关。

4.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，还包括：

开关模块，所述开关模块的驱动端连接至所述比较模块的输出端，所述开关模块串联于第二直流源与所述过流保护端之间，

其中，在所述比较模块判定所述采样信号大于或等于所述参考信号时，所述输出端的比较结果触发所述开关模块导通。

5.根据权利要求4所述的过流保护电路，其特征在于，

所述开关模块为IGBT晶体管时，所述驱动端为基极，所述IGBT晶体管的集电极连接至所述第二直流源，所述IGBT晶体管的发射极连接至所述过流保护端。

6.根据权利要求4所述的过流保护电路，其特征在于，

所述开关模块为MOS管时，所述驱动端为栅极，所述MOS管的漏极连接至所述第二直流源，所述MOS管的源极连接至所述过流保护端。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的过流保护电路，其特征在于，还包括：

滤波模块，设于所述采样模块中，包括无感电阻和第一滤波电容，所述无感电阻的第一端连接至所述电机的采样输出端，所述无感电阻的第二端连接至所述比较模块的一个输入端之间，所述第一滤波电容连接至无感电阻的第二端与地线之间。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的过流保护电路，其特征在于，还包括：

第二滤波电容，并联连接至所述分压电阻或温敏电阻的两侧。

9.一种电机，其特征在于，包括：

功率模块；

如权利要求要求1至8中任一项所述的过流保护电路，连接至所述功率模块的过流保护端；

三相负载，连接至所述功率模块的三相输出端。

10.一种空调器，其特征在于，包括：

如权利要求9所述的电机。