[实用新型]一种基于半导体增益和石墨烯的SPP装置有效
| 申请号： | 201621450815.0 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN206594323U | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 秦柳丽;朱君;傅得立 | 申请（专利权）人： | 广西师范大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B6/122 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司45112 | 代理人： | 刘梅芳 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体 增益 石墨 spp 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于半导体增益和石墨烯的SPP装置，其特征是，包括顺序叠接的底层石墨烯层、半导体增益层、缓冲层和顶层石墨烯层，所述的半导体增益层为T型波导结构，T型波导结构的两侧为对称的、结构和大小相同的第一长方体和第二长方体。
2.根据权利要求1所述的基于半导体增益和石墨烯的SPP装置，其特征是，所述半导体增益层为高折射率的铟砷化镓层。
3.根据权利要求1所述的基于半导体增益和石墨烯的SPP装置，其特征是，所述的第一长方体和第二长方体为介电常数小、电子有效质量小、可作外延片的砷化镓。
4.根据权利要求1所述的基于半导体增益和石墨烯的SPP装置，其特征是，所述缓冲层为低折射率硫化镉缓冲层。
5.根据权利要求1所述的基于半导体增益和石墨烯的SPP装置，其特征是，通过调节石墨烯厚度能够控制2个不同层的结合界面产生的SPP频率。
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