[实用新型]一种调节式圆孔散热半导体制冷片有效

专利信息
申请号: 201621441763.0 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN206340576U 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 张琦;陈冬冬;周骥平;姜亚妮 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: H01L35/32 分类号: H01L35/32
代理公司: 扬州苏中专利事务所(普通合伙)32222 代理人: 许必元
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 调节 圆孔 散热 半导体 制冷
【说明书】:

技术领域

实用新型属于半导体制冷技术领域,涉及一种制冷片,具体的说是涉及一种调节式圆孔散热半导体制冷片。

背景技术

随着半导体技术的发展,集成电路芯片的引脚不断的增加。集成电路芯片的功耗与发热量也会急剧增加,对集成电路散热降温就变得尤其重要。对芯片的封装耐高温也具有很高的要求。由于现在半导体的耐高温程度较低,并且制冷效果和散热效果都不是很好,不能满足集成电路的封装要求,而且温度也不可控制。

实用新型内容

本实用新型针对上述现有半导体耐高温程度低、制冷效果和散热效果差以及不能满足集成电路封装要求等缺陷和不足,提出一种调节式圆孔散热半导体制冷片,可提高半导体的耐高温程度,可满足半导体的特殊场合的使用性能。

本实用新型的技术方案是:一种调节式圆孔散热半导体制冷片,包括P形半导体粒子和N形半导体粒子;其特征在于:所述制冷片还由上基片层、下基片层、高温导电胶层和电流调节器组成,所述P形半导体粒子与N形半导体粒子通过高温导电胶相互粘接,并在所述P形半导体粒子与N形半导体粒子的顶部和底部形成高温导电胶层,所述上基片层和下基片层设置在所述高温导电胶层的外部,所述电流调节器固定设置在所述上基片层上,外部电源通过上基片层上的正极引线和负极引线与所述制冷片作用相连,所述上基片层和下基片层上均设有散热孔。

所述上基片层和下基片层为硅片层或者陶瓷层,上基片层和下基片层厚度相同。

所述的散热孔为直径为6~8mm的圆形通孔,散热孔在上基片层和下基片层上呈10×10的矩形阵列排列。

所述高温导电胶层的厚度为3~6mm。

本实用新型的有益效果为:本实用新型提出的一种调节式圆孔散热半导体制冷片,结构简单,成本低,一方面可通过调节电流的大小从而起到制冷作用,另一方面在基片上设置散热孔可极大提高半导体的耐高温作用,温度可以得到有效控制,使用安全可靠,满足了集成电路的封装要求,也满足了半导体在特殊场合下的使用。

附图说明

图1 为本实用新型全剖结构示意图。

图2 为本实用新型俯视结构示意图。

图中:上基片层1、下基片层2、P形半导体粒子3、N形半导体粒子4、电流调节器5、正极引线6、负极引线7、高温导电胶层8、散热孔9。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明:

如图1-2所示,一种调节式圆孔散热半导体制冷片,包括P形半导体粒子3和N形半导体粒子4;制冷片还由上基片层1、下基片层2、高温导电胶层8和电流调节器5组成,P形半导体粒子3与N形半导体粒子4通过高温导电胶相互粘接,并在P形半导体粒子3与N形半导体粒子4的顶部和底部形成高温导电胶层8,上基片层1和下基片层2设置在高温导电胶层8的外部,电流调节器5固定设置在上基片层1上,外部电源通过上基片层1上的正极引线6和负极引线7与制冷片作用相连,上基片层1和下基片层2上均设有散热孔9。

如图1-2所示,一种调节式圆孔散热半导体制冷片,上基片层1和下基片层2为硅片层或者陶瓷层,上基片层1和下基片层2厚度相同;散热孔9为直径为6~8mm的圆形通孔,散热孔9在上基片层1和下基片层2上呈10×10的矩形阵列排列;高温导电胶层8的厚度为3~6mm。

如图1-2所示,一种调节式圆孔散热半导体制冷片的工作原理如下:工作时,正负极线与外部电源连接,然后可以调节电流调节器电流的大小,从而控制上下基端的温度。当温度达到一定的程度,可以通过圆形散热孔进行散热。从而提高了半导体的耐热温度,对促进半导体制冷领域有很大的作用。

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