[实用新型]一种液面无扰动循环机构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种液面无扰动循环机构，尤其涉及一种结构紧凑、过滤效果好、液面控制波动小的液面无扰动循环机构。

背景技术

硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗，清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各类污染物，并制做能够减少表面太阳光反射的绒面结构，且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。制绒是制造晶硅电池的第一道工艺，又称“表面织构化”。有效的绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高电池的性能。现有技术中通过在盐酸槽中同时引入盐酸管道与氢氟酸管道，在氢氟酸槽中同时引入氢氟酸管道与盐酸管道，从而可方便地获得盐酸与氢氟酸的混合溶液，方便进行上述单晶硅片制绒的清洗。但是在实际清洗的过程中硅片在盐酸槽中液面扰动较大，从而对置于其中的硅片的细微元器件有可能造成一定的形变等。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种液面无扰动循环机构，具有结构紧凑、过滤效果好、液面控制波动小的特点。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种液面无扰动循环机构，包括用于注入清洗液的贮水槽，其创新点在于：所述贮水槽从上到下依次包括过滤层、清洗层、原液层，所述原液层通过进水管与强制循环泵相连，所述原液层与所述清洗层之间设置有第一隔板，所述第一隔板上设置有用于连通所述清洗层和所述原液层的细密孔，所述第一隔板为中空结构，所述中空结构中设置有泥炭填充层，所述清洗层中设置有用于搁置工件的网筛，所述清洗层与所述过滤层之间设置有第二隔板，所述第二隔板上设置有连通所述清洗层和所述过滤层的进料通道，所述第二隔板为中空结构，第二隔板的中空结构中设置有消泡层。

优选的，所述第一隔板上设置有位于所述隔板上方的用于阻止泥沙进入原液层的植绒层。

优选的，所述过滤层中设置有过滤网。

优选的，所述贮水槽上设置有环所述贮水槽设置的溢流槽，所述贮水槽上过滤层位置处设置有与所述溢流槽连通的溢流孔。

优选的，所述贮水槽上溢流孔位置处设置有过滤网罩。

优选的，所述溢流槽与所述强制循环泵之间设置有回水管。

优选的，所述贮水槽上设置有罩住该贮水槽上口的壳罩。

本实用新型的优点在于：通过采用上述结构，利用强制循泵将液体抽入贮水槽中，液体经过原液层和清洗层之间的第一隔板，利用第一隔板中的泥炭填充层对液体中的杂质进行过滤，同时利用泥炭填充层实现液体渗入清洗层，减少清洗层中液面的扰动，同时工件置于清洗层中的网筛中，进一步减少液面扰动带来的拨动，液体经过清洗层和过滤层之间的第二隔板，利用第二隔板中设置的消泡层，实现对液面波动控制和过滤杂质的作用。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的描述。

图1是本实用新型一种液面无扰动循环机构的结构示意图。

图中：1-贮水槽、2-过滤层、3-清洗层、4-原液层、5-进水管、6-强制循环泵、7-第一隔板、8-细密孔、9-泥炭填充层、10-网筛、11-第二隔板、12-进料通道、13-消泡层、 14-植绒层、15-过滤网、16-溢流槽、17-溢流孔、18-过滤网罩、19-回水管、20-壳罩。

具体实施方式

本实用新型的液面无扰动循环机构，包括用于注入清洗液的贮水槽1，贮水槽1从上到下依次包括过滤层2、清洗层3、原液层4，原液层4通过进水管5与强制循环泵6相连，原液层4与清洗层3之间设置有第一隔板7，第一隔板7上设置有用于连通清洗层3和原液层4的细密孔8，第一隔板7为中空结构，中空结构中设置有泥炭填充层9，清洗层3中设置有用于搁置工件的网筛10，清洗层3与过滤层2之间设置有第二隔板11，第二隔板11 上设置有连通清洗层3和过滤层2的进料通道12，第二隔板11为中空结构，第二隔板11 的中空结构中设置有消泡层13。通过采用上述结构，利用强制循泵将液体抽入贮水槽1中，液体经过原液层4和清洗层3之间的第一隔板7，利用第一隔板7中的泥炭填充层9对液体中的杂质进行过滤，同时利用泥炭填充层9实现液体渗入清洗层3，减少清洗层3中液面的扰动，同时工件置于清洗层3中的网筛10中，进一步减少液面扰动带来的拨动，液体经过清洗层3和过滤层2之间的第二隔板11，利用第二隔板11中设置的消泡层13，实现对液面波动控制和过滤杂质的作用。