[实用新型]背照式图像传感器

权利要求书

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底背面的空穴层；位于所述半导体衬底中，且靠近所述空穴层的耗尽区；位于所述耗尽区背离所述空穴层一侧的N型的光生载流子收集区；包围所述光生载流子收集区的P型的隔离区。

2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述耗尽区为N型低浓度掺杂结构或本征结构。

3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底的背面形成有硼离子注入区，并对所述硼离子注入区进行激光退火工艺，所述硼离子注入区形成所述空穴层。

4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底的背面沉积有一介质层和一负电荷层，以在所述半导体衬底的背面形成所述空穴层。

5.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述隔离区背离所述光生载流子收集区一侧的浮置扩散区；位于所述光生载流子收集区和所述浮置扩散区之间的沟道；及位于所述光生载流子收集区和所述浮置扩散区之间的转移晶体管的栅极,光生载流子收集区作为转移晶体管的源极,浮置扩散区作为转移晶体管的漏极。