[实用新型]一种低光衰的双玻光伏组件有效
申请号: | 201621431610.8 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN206250209U | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 倪志春;蔡霞;魏青竹;李淳慧;陈国清;王超 | 申请(专利权)人: | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人: | 孙仿卫,李萍 |
地址: | 215542 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低光衰 双玻光伏 组件 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池组件领域,特别涉及一种低光衰的双玻光伏组件。
背景技术
现有技术中,导致P型(掺硼)太阳能电池组件功率衰减的原因主要有:一是硅片质量下降,导致电池出现较大幅度的早期光致衰减;二是组件制造厂制造工艺不合理导致的如电池片隐裂、EVA交联度不好、脱层、焊接不良等质量问题,这种组件在短时间内也会造成输出功率衰减或组件失效;三是组件在系统端应用时,受到电势诱导衰减的影响,导致组件功率下降明显。
组件功率衰减主要分两个阶段:早期光衰,P型(掺硼)晶体硅片在光照下产生硼氧复合体,降低了少子寿命,导致电池转换效率下降,最终引起组件功率的下降;后期组件老化衰减及电势诱导衰减,组件老化衰减主要原因是与封装材料的性能退化有关,也与电池片缓慢衰减有关,电势诱导衰减是存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压,会造成组件的光伏性能的持续衰减。造成此类衰减的机理是多方面的,例如在上述高电压的作用下,组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移现象;电池中出现的热载流子现象;电荷的再分配削减了电池的活性层;相关的电路被腐蚀等等。这些引起衰减的机理被称之为电势诱发衰减、极性化、电解腐蚀和电化学腐蚀。常规抗PID(Potential Induced Degradation—电势诱导衰减),目前业内水平在组件前期衰减约3%左右,在无PID衰减的情况下组件功率每年衰减约1%左右,在组件使用3-5年后由于PID的影响导致组件功率衰减明显,功率衰减可达50%之多。组件寿命期间,功率衰减过多,组件寿命变短,导致电站发电量明显下降,从而影响收益。
目前,业内双玻组件应用范围正在迅速扩大,双玻组件的光衰问题亦是大家关注的重点,双玻组件的早期光衰,后期组件的老化衰减及电势诱导衰减也是急需解决的问题。
所以开发一款低光衰完全抗PID组件的晶体硅双玻组件及其必要,可以直接提高双玻组件电站的发电收益。
发明内容
本实用新型的目的是解决上述现有技术中存在的不足和问题,提出了一种低光衰的双玻光伏组件。
本实用新型采用的技术方案如下:
一种低光衰的双玻光伏组件,包括自上至下设置的前板、第一封装层、太阳能电池片、第二封装层以及背板,所述太阳能电池片为掺镓电池片。
优选地,所述第一封装层和/或所述第二封装层为由聚烯烃制成的聚烯烃层。
更优选地,所述聚烯烃层的厚度为0.25~0.8mm。
优选地,所述背板为玻璃板。
优选地,所述前板为玻璃。
优选地,所述掺镓电池片为多个,各所述掺镓电池片的上表面上设有用于将所述多个掺镓电池片连接的焊带。
更优选地,多个所述掺镓电池片间隔设置,且各所述太阳能电池片的上表面和所述第一封装层相对设置,各所述太阳能电池片的下表面和所述第二封装层相对设置。
优选地,所述双玻光伏组件还包括金属边框,所述前板、第一封装层、太阳能电池片、第二封装层以及背板设在所述金属边框上。
优选地,所述双玻光伏组件包括设在所述背板的下表面上的接线盒。
本实用新型采用以上方案,相比现有技术具有如下优点:
双玻光伏组件电池采用掺镓电池片,降低组件因为硼氧复合体导致的早期光衰。
附图说明
附图1为本实用新型的一种双玻光伏组件的结构示意图。
上述附图中,
1、前板;2、第一封装层;3、太阳能电池片;30、焊带;4、第二封装层;5、背板;6、金属边框;7、接线盒。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述,以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域的技术人员理解。本实用新型对方位的定义是根据本领域人员的惯常观察视角和为了叙述方便而定义的,不限定具体的方向,如,上对应于附图1中纸面的上侧,下对应于附图1中纸面的下侧。
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