[实用新型]在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置有效
申请号: | 201621418517.3 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN206259379U | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 侯想;仇凯弘 | 申请(专利权)人: | 福建中晶科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/20 |
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地址: | 364000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图形 蓝宝石 衬底 生长 氮化 外延 加工 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及LED芯片制作技术领域,尤其涉及在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置。
背景技术
LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石,不同的衬底材料,需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线,LED外延片生长的基本原理是:在一块热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜,目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法,现有的在蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的装置,结构复杂,成本高,不能快速的调节蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的温度条件,为此我们提出一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置,包括第一箱体和第二箱体,第二箱体位于第一箱体的内部,且第一箱体和第二箱体之间连接有支架,第一箱体和第二箱体之间构成冷却腔,所述第一箱体的外侧壁上设有冷却液存储箱和液泵,冷却液存储箱位于液泵的下方,液泵的输出端通过导管延伸至冷却腔的内部,液泵的输入端通过导管连接有冷却液存储箱,冷却液存储箱的底端连接有导液管,导液管与冷却腔相连通,导液管上设有阀门,所述第一箱体上设有三个进气管,进气管均延伸至第二箱体的内部,第二箱体内部侧壁上设有多个加热管,第二箱体的内壁底端设有固定座,固定座内设有电动机,电动机的输出轴连接有旋转台,旋转台上设有固定装置,所述固定装置包括旋转轴,旋转轴的底端焊接在旋转台上,旋转轴的四周设有三个阵列排布的第一连接杆,第一连接杆远离旋转轴的一侧侧壁上开凹槽,凹槽内滑动连接有第二连接杆,第二连接杆与凹槽的底端侧壁之间连接有弹簧,第二连接杆远离第一连接杆的一侧设有夹块。
优选的,所述进气管的底端连接有导向管和万向管,导向管位于万向管的内部,导向管与万向管的底端均连接有喷头。
优选的,所述加热管在第二箱体的内壁上均匀排布,加热管的外部设有防护罩,防护罩通过螺钉固定在第二箱体的内壁上,且防护罩与第二箱体的连接处设有密封圈。
优选的,所述旋转台底端设有环形滑块,固定座的顶端设有环形滑轨,环形滑块与环形滑轨相配合。
优选的,所述夹块焊接在第二连接杆上,且夹块的外部包裹有橡胶套。
优选的,所述第一箱体和第二箱体的一侧设有开口,开口处铰接有密封板。
本实用新型的有益效果:通过第一箱体、第二箱体、加热管、液泵和冷却液存储箱的设置,能够在蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层时提供合适的温度环境,实现高温加热和快速冷却,满足不同的温度需求,提高其生长工作效率,通过固定装置的设置,能后对不同大小的蓝宝石衬底进行夹持固定,通过电动机以及万向管的设置,能够带动蓝宝石衬底旋转,使得蓝宝石衬底上的氮化镓外延层生长更加均匀,同时能够调节其通入气体的喷射角度,且本装置结构简单、成本低。
附图说明
图1为本实用新型提出的在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置的结构示意图;
图2为本实用新型提出的在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置的固定装置的结构示意图。
图中:1固定座、2电动机、3第二箱体、4旋转台、5第一箱体、6阀门、7冷却液存储箱、8液泵、9进气管、10加热管、11固定装置、12支架、13第二连接杆、14弹簧、15第一连接杆、16旋转轴、17夹块。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
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