[实用新型]浪涌保护电路、电磁加热装置以及家用电器

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，具体地，涉及一种浪涌保护电路、电磁加热装置以及家用电器。

背景技术

在电磁加热系统中，浪涌对绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)，桥堆，储能电容有巨大损伤风险。因浪涌对器件的损坏占比电磁加热系统维修比例约1/2。

图1示出了现有技术中提供的一种带有浪涌保护电路的电路。如图1所示，交流的两个输入端之间并联压敏电阻RZ131和吸收电容C131，然后分别连接桥堆U1的两个交流输入端。桥堆U1的两个输出端之间并联滤波电容C101，桥堆U1的一个输出端连接扼流圈L101，另一个输出端连接康铜丝RC101，扼流圈L101和康铜丝RC101的自由端之间并联储能电容C102和电磁加热电路，该电磁加热电路包括与并联的线圈盘L102和谐振电容串联的功率器件IGBT。

图2示出了图1中所示的电路中多个取样点在存在浪涌情况下的电压波形。其中，(1)为浪涌波形；(2)/(2.1)为浪涌经过压敏电阻RZ131以及吸收电容C131处理后的到达桥堆U1的波形，峰值小于波形(1)；(2.3)/(2.4)为浪涌经过桥堆U1后的波形，峰值等于波形(2)和(2.1)减去桥堆压差；(3)为浪涌经过扼流圈L101到达储能电容C102的波形；(3.1)为浪涌前半部分，因扼流圈L101隔交通直效应，使得该半部分峰值电压低于波形(2.3)或者波形(2.4)峰值；(3.2)为浪涌后半部分，因扼流圈L101和储能电容C102组成一升压电路，使得储能电容C102的电位迅速抬升，峰值高于(2.3)和(2.4)峰值，甚至高于(1)的电位峰值。这种高压峰值，对后级器件可靠性造成一定潜在损伤。

因此，如何降低浪涌对器件冲击成为本领域中亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种设备，该设备能够有效消除浪涌冲击，保护后端电路。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种浪涌保护电路，该浪涌保护电路包括：第一保险管、第一扼流圈、压敏电阻以及第一电容，其中所述第一保险管、所述第一扼流圈和所述压敏电阻依次串联在交流的两个输入端之间，所述第一保险管连接所述交流的火线输入端，所述第一电容与所述压敏电阻并联，以及所述压敏电阻的两端之间接负载。

可选的，该浪涌保护电路还包括第二扼流圈，其中所述第一扼流圈、所述压敏电阻和所述第二扼流圈依次串联在所述交流的两个输入端之间。

可选的，所述第一扼流圈串联在所述交流的火线输入端与所述压敏电阻之间。

可选的，该浪涌保护电路还包括第二保险管，该第二保险管串联在所述压敏电阻与所述交流的零线输入端之间。

可选的，所述第一扼流圈串联在所述交流的零线输入端与所述压敏电阻之间。

本实用新型的另一个方面，提供了一种电磁加热装置，该电磁加热装置包括上述的浪涌保护电路、桥堆以及电磁发生电路，其中所述压敏电阻的两端分别连接所述桥堆的两个输入端，所述桥堆的两个输出端之间串联第二电容；

其中所述电磁发生电路包括：所述第二电容、第三电容、第四电容、线圈盘、康铜丝以及功率器件，其中所述桥堆的一个输出端连接所述康铜丝，所述桥堆的另一个输出端和所述康铜丝的自由端之间串联所述第三电容；所述第四电容与所述功率器件串联在所述第三电容的两端之间，所述线圈盘与所述第四电容并联。

可选的，所述第一电容的电容值小于所述第三电容的电容值。

可选的，所述第一电容和所述第二电容的电容值的取值范围为0.1–1μF；以及所述第三电容的电容值的取值范围为2–10μF。

本实用新型的再一个方面，还提供了一种家用电器，该家用电器包括上述的浪涌保护电路。

本实用新型的再一个方面，还提供了一种家用电器，该家用电器包括上述的电磁加热装置。

通过上述技术方案，利用扼流圈将浪涌峰值拉低，同时压敏电阻能够拉低第一电容两端的峰值电压，从而使得浪涌峰值在通过有扼流圈、压敏电阻和第一电容组成的浪涌保护电路之后得到有效降低。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是现有技术中提供的一种带有浪涌保护电路的电路组成示意图；