[实用新型]图像传感器像素的阵列和系统

权利要求书

1.一种图像传感器像素的阵列，其特征在于包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一侧和第二侧；

第一光电二极管区，所述第一光电二极管区通过所述第一侧注入在所述半导体衬底中；以及

第二光电二极管区，所述第二光电二极管区通过所述第二侧注入在所述半导体衬底中，其中所述第二光电二极管区与所述第一光电二极管区在所述半导体衬底中重叠。

2.根据权利要求1所述的阵列，其特征在于所述第一光电二极管区包括第一n型掺杂区，并且所述第二光电二极管区包括第二n型掺杂区。

3.根据权利要求2所述的阵列，其特征在于所述第一n型掺杂区和所述第二n型掺杂区形成连续的n型掺杂区，所述连续的n型掺杂区延伸到所述半导体衬底的所述第一侧的小于或等于0.5微米内，并且延伸到所述半导体衬底的所述第二侧的小于或等于0.5微米内。

4.根据权利要求3所述的阵列，其特征在于还包括：

附加的连续的n型掺杂区，所述附加的连续的n型掺杂区延伸到所述半导体衬底的所述第一侧的小于或等于0.5微米内，并且延伸到所述半导体衬底的所述第二侧的小于或等于0.5微米内；以及

p型掺杂隔离结构，所述p型掺杂隔离结构注入在所述半导体衬底中的所述连续的n型掺杂区与所述附加的连续的n型掺杂区之间。

5.根据权利要求3所述的阵列，其特征在于还包括：

附加的连续的n型掺杂区，所述附加的连续的n型掺杂区从所述半导体衬底的所述第一侧延伸到0.5微米内，并且延伸到所述半导体衬底的所述第二侧的0.5微米内；以及

深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构从所述半导体衬底的所述第一侧和所述第二侧中的至少给定的一者延伸，并且将所述连续的n型掺杂区与所述阵列中的其他n型掺杂区隔离。

6.根据权利要求3所述的阵列，其特征在于所述第一n型掺杂区具有在所述半导体衬底的所述第一侧处的第一横向区域，并且所述第二n型掺杂区具有在所述半导体衬底的所述第二侧处的第二横向区域，所述第二横向区域大于所述第一横向区域。

7.根据权利要求6所述的阵列，其特征在于还包括：

滤色器元件阵列，所述滤色器元件阵列在所述半导体衬底的所述第一侧的上方形成，其中所述滤色器元件阵列包括透射给定颜色的光的第一组滤色器元件、以及透射红外光的第二组滤色器元件，其中所述第二组滤色器元件的给定滤色器在所述半导体衬底的所述第一侧处的所述第一n型掺杂区上方形成。

8.根据权利要求3所述的阵列，其特征在于所述连续的n型掺杂区被配置成响应于图像光生成电荷，并且作为图像传感器像素的部分形成，所述图像传感器像素基于所生成的电荷生成图像信号，所述阵列还包括：

像素读出线，所述像素读出线耦接到所述连续的n型掺杂区，其中所述像素读出线被配置成将所述图像信号传送到像素读出电路。

9.根据权利要求8所述的阵列，其特征在于所述连续的n型掺杂区被配置成响应于通过所述半导体衬底的所述第一侧接收的图像光，生成所述电荷，所述阵列还包括：

金属化层，所述金属化层在所述半导体衬底的所述第一侧上方形成，其中所述金属化层包括所述像素读出线。

10.根据权利要求8所述的阵列，其特征在于所述连续的n型掺杂区被配置成响应于通过所述半导体衬底的所述第一侧接收的图像光，生成所述电荷，所述阵列还包括：

金属化层，所述金属化层在所述半导体衬底的所述第二侧上方形成，其中所述金属化层包括所述像素读出线。

11.根据权利要求3所述的阵列，其特征在于所述第一n型掺杂区具有从所述半导体衬底的所述第一侧延伸的第一深度，所述第二n型掺杂区具有从所述半导体衬底的所述第二侧延伸的第二深度，并且所述连续的n型掺杂区具有等于所述第一深度和所述第二深度的总和的深度。

12.根据权利要求11所述的阵列，其特征在于所述第一深度和所述第二深度小于或等于3微米。