[实用新型]图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器有效
| 申请号： | 201621380128.6 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN206698332U | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | G·O·莫伯格;C·帕克斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H04N5/372 | 分类号： | H04N5/372 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 电荷耦合器件 ccd | ||
1.一种图像传感器，其特征在于包括：
多个垂直移位寄存器；
水平移位寄存器，其接收来自所述多个垂直移位寄存器的电荷；以及
输出缓冲电路，其接收来自所述水平移位寄存器的电荷，并且包括电流吸收晶体管和共源共栅晶体管。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于所述电流吸收晶体管与所述共源共栅晶体管串联耦接。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于所述输出缓冲电路还包括：
与所述电流吸收晶体管和所述共源共栅晶体管串联耦接的放大器晶体管。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于所述电流吸收晶体管具有短接至接地电源线的栅极端子。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于所述共源共栅晶体管具有连接至电压偏置端子的栅极端子，所述电压偏置端子不同于所述接地电源线。
6.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于所述共源共栅晶体管具有也短接至所述接地电源线的栅极端子。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于所述输出缓冲电路还包括：
附加的共源共栅晶体管，其串联连接至所述共源共栅晶体管。
8.一种电荷耦合器件图像传感器，包括：
多个垂直电荷耦合器件移位寄存器；
水平电荷耦合器件移位寄存器，其耦接至所述多个垂直电荷耦合器件移位寄存器；以及
输出缓冲电路，其接收来自所述水平电荷耦合器件移位寄存器的信号，并且包括第一输出级和第二输出级，其特征在于所述第一 输出级包括串联耦接的源极跟随器晶体管、电流吸收晶体管和共源共栅晶体管。
9.根据权利要求8所述的电荷耦合器件图像传感器，其特征在于所述第二输出级也包括串联耦接的源极跟随器晶体管、电流吸收晶体管和共源共栅晶体管。
10.根据权利要求9所述的电荷耦合器件图像传感器，其特征在于所述第一输出级和所述第二输出级的所述电流吸收晶体管具有短接至地的栅极端子。
11.根据权利要求10所述的电荷耦合器件图像传感器，其特征在于所述第一输出级和所述第二输出级的所述共源共栅晶体管具有也短接至地的栅极端子。
12.根据权利要求10所述的电荷耦合器件图像传感器，其特征在于所述第一输出级和所述第二输出级的所述共源共栅晶体管具有不短接至地的栅极端子。
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