[实用新型]电流检测电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电流检测电路的技术领域，更具体地说是电流检测电路。

背景技术

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

一般场效应管在驱动应用中，需要外置电阻才能做电流检测；如图1所示，在主回路中串入小阻值大功率电阻作为电流采样，它将电流转换为电压信号再经过运算放大后供给后级控制电路，这样就引入了一个很大的功率损耗；为了减小功率损耗直接采样场效应管的导通内阻作为电流采样电阻，如图2所示，但由于场效应管的导通内阻随结温的变化较大往往电流采样不准，随温度的变化，检测电流会有很大偏差。

因此，有必要设计一种电流检测电路，实现小功耗、高精度的电流检测，同时不受温度的影响，采样精准度高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供电流检测电路。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：电流检测电路，包括采样电路，所述采样电路包括场效应管以及采样电阻Rsence，所述场效应管包括栅极、漏极、源极以及电流检测输出极，所述电流检测输出极上连接有检测电极，所述检测电极与所述源极之间设有隔离板，所述场效应管的源极接地，所述场效应管的检测电极与所述采样电阻Rsence的一端连接，所述采样电阻Rsence的另一端接地，电流从漏极流入，分别从检测电极以及源极流出，大部分电流从源极流出，小部分电流从检测电极流出，经过采样电阻Rsence转换成电压信息。

其进一步技术方案为：所述检测电极的电流与所述漏极的电流为等比例变化的关系。

其进一步技术方案为：所述源极为金属片，所述源极上设有供所述检测电极引出的区域。

其进一步技术方案为：所述采样电阻Rsence为小功率电阻。

其进一步技术方案为：所述电流检测电路还包括放大电路，所述放大电路接收所述采样电阻输出的电压信息，对所述电压信息进行放大输出。

其进一步技术方案为：所述放大电路包括同相放大器，所述同相放大器的正输入端通过电阻R1与所述采样电阻Rsence的一端连接；所述同相放大器的负输入端通过限流电阻R3接地。

其进一步技术方案为：所述同相放大器的正输入端与电阻R1之间连接有接地的滤波电容C1，所述同相放大器的输出端连接有反馈电阻R2,所述反馈电阻R2的一端连接在所述限流电阻R3与同相放大器的负输入端之间。

本实用新型与现有技术相比的有益效果是：本实用新型的电流检测电路，通过设置带有检测电极的场效应管，流过场效应管的电流和检测电流有一定的等比例关系,当场效应管流过一定的电流时，则检测电流由于和场效应管的电流成一定的比例关系，检测电流流过采样电阻Rsence，将电流信号转换为电压信号，再通过同相放大器放大后的伏值和场效应管的电流成一定的比例关系，实现小功率损耗、高精度的电流到电压信号的转换，不受温度的影响，采样精准度高。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步描述。

附图说明

图1为现有的第一种电流检测电路的电路原理图；

图2为现有的第二种电流检测电路的电路原理图；

图3为本实用新型具体实施例提供的电流检测电路的电路原理图；

图4为本实用新型具体实施例提供的场效应管的结构示意图。

具体实施方式

为了更充分理解本实用新型的技术内容，下面结合具体实施例对本实用新型的技术方案进一步介绍和说明，但不局限于此。

如图3和图4所示的具体实施例，本实施例提供的电流检测电路，可以运用在电流检测或者运用在电流检测转换到电压检测的过程中的过程中，实现小功耗、高精度的电流检测，同时不受温度的影响，采样精准度高。