[实用新型]离子漂移管组件、离子漂移管及离子迁移谱有效
| 申请号： | 201621365900.7 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN206332003U | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 洪义;谭国斌;高伟;乔佳;喻佳俊;苏海波;刘丹 | 申请（专利权）人： | 广州智纯科学仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/26 | 分类号： | H01J49/26;H01J49/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 万志香 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 漂移 组件 迁移 | ||
1.一种离子漂移管组件，其特征在于，包括：
绝缘基片，所述绝缘基片为环状结构，所述绝缘基片端部设有贯穿通过所述绝缘基片的第一通孔；
导电材料镀层，所述导电材料镀层设在所述绝缘基片外侧表面；所述导电材料镀层端部设有贯穿通过所述导电材料镀层的第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔相连通；
连接插针，所述连接插针贯穿通过所述第一通孔与所述第二通孔；以及
分压电阻，所述分压电阻设在所述导电材料镀层的外侧表面。
2.根据权利要求1所述的离子漂移管组件，其特征在于，所述绝缘基片的内径为10mm～30mm，外径为50mm～70mm，厚度为5mm～15mm。
3.根据权利要求1所述的离子漂移管组件，其特征在于，所述绝缘基片的材料为陶瓷，其截面为圆形。
4.根据权利要求1所述的离子漂移管组件，其特征在于，所述导电材料镀层的厚度为2μm～15μm。
5.根据权利要求1所述的离子漂移管组件，其特征在于，所述导电材料镀层的厚度为2μm～5μm。
6.根据权利要求1所述的离子漂移管组件，其特征在于，所述导电材料镀层的截面为圆形。
7.一种离子漂移管，其特征在于，包括多个权利要求1-6任一项所述的离子漂移管组件。
8.根据权利要求7所述的离子漂移管，其特征在于，所述离子漂移管由多个所述离子漂移管组件依次叠加而成，其中相邻两层所述离子漂移管组件，上层所述离子漂移管组件的所述连接插针与下层所述离子漂移管组件的所述导电材料镀层外侧表面相接触。
9.根据权利要求7所述的离子漂移管，其特征在于，所述绝缘基片外侧为凸台结构，所述绝缘基片内侧为凹槽结构，所述离子漂移管组件依次叠加时，其中相邻两层所述离子漂移管组件，上层所述离子漂移管组件的凹槽与下层所述离子漂移管组件的凸台相配合。
10.一种离子迁移谱，其特征在于，包括权利要求7-9任一项所述的离子漂移管。
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