[实用新型]一种均质器

权利要求书

1.一种均质器，包括均质杯(2)和底座(1)，所述底座(1)的顶部设有均质杯(2)，且均质杯(2)的顶部放置有盖体，其特征在于，所述底座(1)的内部设有电路板，且电路板上设有芯片U1、芯片U3和单片机U2，所述芯片U1的引脚1接地，所述芯片U1的引脚2连接有场效应管T1的源极S、电阻R2和电阻R1，所述场效应管T1的漏极D连接有电阻R1的另一端、电阻R3、芯片U1的引脚4、芯片U1的引脚8、电阻R4和NPN型三极管T3的集电极，且场效应管T1的漏极D连接有高电平VCC，所述电阻R2的另一端连接有电容C1，所述电容C1的另一端连接有电容C2和芯片U1的引脚1，且电容C1的另一端接地，所述电容C2的另一端连接有芯片U1的引脚6、芯片U1的引脚7和电阻R3的另一端，所述芯片U1的引脚3连接有场效应管T1的栅极G和NPN型三极管T2的基极，且NPN型三极管T2的发射极接地，所述NPN型三极管T2的集电极连接有NPN型三极管T3的基极和电阻R4的另一端，所述NPN型三极管T3的发射极连接有转动电机M的正极输入端，且转动电机M的负极输入端接地，所述芯片U1的引脚5连接有开关K4，所述开关K4的另一端连接有NPN型三极管T4的发射极，且NPN型三极管T4的基极连接有单片机U2的第一输出端，所述单片机U2的第二输出端连接有开关K1的一端，且开关K1的另一端连接有PNP型三极管T6的基极，所述PNP型三极管T6的集电极连接有NPN型三极管T4的集电极和PNP型三极管T5的集电极，且PNP型三极管T6的发射极连接有高电平VDD，所述PNP型三极管T5的发射极连接有高电平VEE，且PNP型三极管T5的基极连接有开关K2的一端，所述开关K2的另一端连接有单片机U2的第三输出端，所述单片机U2的第四输出端连接有芯片U3的引脚2，所述芯片U3的引脚1接地，所述芯片U3的引脚2连接有二极管D1的正极，且二极管D1的负极接地，所述芯片U3的引脚4连接有芯片U3的引脚8和电阻R5，且芯片U3的引脚4连接有高电平VCC，所述电阻R5的另一端连接有芯片U3的引脚6、芯片U3的引脚7和电容C3，且电容C3的另一端接地，所述单片机U2的输入端连接有开关K3，且开关K3的另一端连接有高电平VCC。

2.根据权利要求1所述的一种均质器，其特征在于，所述转动电机M固定安装在底座(1)的顶部内壁上，所述转动电机M的输出轴连接有固定杆，所述固定杆的顶部设有搅动刀片(3)，且搅动刀片(3)为十字型结构，所述搅动刀片(3)位于均质杯(2)内，且搅动刀片(3)的转动动力由转动电机M提供。

3.根据权利要求1所述的一种均质器，其特征在于，所述场效应管T1为结型场效应管，且二极管D1为稳压二极管。

4.根据权利要求1所述的一种均质器，其特征在于，所述芯片U1的型号为CH7555，且芯片U3的型号为NE555。

5.根据权利要求1所述的一种均质器，其特征在于，所述芯片U3设定的时间为一分钟。

6.根据权利要求1所述的一种均质器，其特征在于，所述开关K1为高速控制开关，且VDD的电压为12到14伏，所述开关K2为低速控制开关，且VEE为4到6伏，所述开关K3为启动开关，所述开关K4为点动开关，且开关K4为常闭型开关，所述开关K4、开关K1、开关K2和开关K3从左至右依次固定安装在底座(1)的一侧。