[实用新型]振膜和具有该振膜的发声单体

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及声学器件技术领域，尤其涉及发声单体和发声单体上的振膜。

【背景技术】

随着电子信息技术的快速发展，越来越多的发声单体应用于各类电子产品上，尤其是广为人们应用的移动通讯设备，人们不但关心其微型化、多功能，更要求其语音效果高质量、无失真。而振膜作为发声单体的核心部件，其设计的好坏直接影响其声学性能。

相关技术的振膜包括位于中部的球顶、自球顶向外延伸并朝上凸起的折环部以及与折环部相连的固定部。其中，所述折环部上设有自球顶向固定部延伸的若干褶皱。这种发声单体的结构，往往会导致发声单体的低频谐波失真很高，低频高次失真高，进而影响整个发声单体的声学特性。

因此，实有必要提供一种新型的发声单体和具有该发声单体的发声单体解决上述问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种振膜和具有该振膜的发声单体，其用于解决现有发声单体结构低频谐波失真高的技术问题。

为了解决上述技术问题，设计了一种振膜，所述振膜包括球顶部和自所述球顶部延伸的折环部，所述折环部包括与所述球顶部连接的第一凸出部、与所述第一凸出部连接并远离球顶部的第二凸出部、以及设于所述第一凸出部和所述第二凸出部的褶皱，所述折环部还包括多个设于所述第二凸出部的第二褶皱。

优选的，所述折环部还包括多个设于所述第一凸出部的第一褶皱，所述第一褶皱与第二褶皱交错间隔设置。

优选的，所述折环部由一对长轴边和一对短轴边交错连接围成，所述第一褶皱和/或所述第二褶皱设于所述长轴边。

优选的，所述第一褶皱和/或所述第二褶皱还设于所述短轴边。

优选的，所述长轴边和所述短轴边相交处为圆角，所述第一褶皱和/或所述第二褶皱还设于所述折环部的圆角处。

优选的，所述第一褶皱自所述第一凸出部的表面凸起，所述第一褶皱的凸起方向与所第一凸出部的凸出方向相同，所述第二褶皱自所述第二凸出部的表面凸起，所述第二褶皱凸起方向与所述第二凸出部的凸出方向相同。

优选的，所述第一褶皱自所述第一凸出部的表面凸起，所述第一褶皱的凸起方向与所第一凸出部的凸出方向相反，所述第二褶皱自所述第二凸出部的表面凸起，所述第二褶皱凸起方向与所述第二凸出部的凸出方向相反。

优选的，所述第一褶皱和所述第二褶皱均朝向所述球顶部的中心呈放射状分布。

本实用新型还提供一种发声单体，所述发声单体包括具收容空间的盆架、收容于所述盆架内的振动系统和磁路系统，所述振动系统包括如上所述的振膜。

优选的，所述第一凸出部和所述第二凸出部共同围成一个远离所述磁路系统方向的凸起。

与相关技术相比，本实用新型提供的振膜和具有该振膜的发声单体，折环部还包括多个设于所述第二凸出部的第二褶皱，能有效改善低频谐波失真，降低F0附近的高次。另外，通过采用所述第一褶皱和所述第二褶皱的双花纹结构，并将所述第一褶皱和/或所第二褶皱设于所述长轴边，或同时设于所述长轴边和所述短轴边，使得低频谐波失真降低、低频高次失真降低，降低F0附近的高次，从而提高所述发声单体的品质。

【附图说明】

图1为本实用新型提供的发声单体的立体分解示意图；

图2为图1所示发声单体沿B-B线的剖面图；

图3为图1所示振膜的A部分的放大图。

【具体实施方式】

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请一并参阅图1和图2，其中，图1为本实用新型提供的发声单体的立体分解示意图，图2为图1所示发声单体沿B-B线的剖面图。所述发声单体200其包括具收容空间的盆架10、收容于所述盆架10内的磁路系统30和振动系统50，所述振动系统50包括固接于所述盆架10上的振膜100和驱动所述振膜100振动的音圈110。

请结合参阅图3，为图1所示振膜的A部分的放大图。所述振膜100包括球顶部1、自所述球顶部1延伸的折环部3、围绕所述折环部3并与所述折环部3相连接的固定部5。所述折环部3围绕所述球顶部1，其由一对长轴边和一对短轴边交错连接围成，所述长轴边和所述短轴边相交处为圆角，所述圆角为一扇形结构。