[实用新型]液位传感器校准装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及传感器领域，特别是涉及一种液位传感器校准装置。

背景技术

基于全球经济的快速发展，IC技术(Integrated circuit)已经渗透到国防建设和国民经济发展的各个领域，成为世界第一大产业。IC所用的材料主要是硅和砷化镓等，全球90％以上IC都采用硅片。随着半导体工业的飞速发展，一方面，为了增大芯片产量，降低单元制造成本，要求硅片的直径不断增大；另一方面，为了提高IC的集成度，要求硅片的刻线宽度越来越细。半导体硅片抛光工艺是衔接材料与器件制备的边沿工艺，它极大地影响着材料和器件的成品率，并肩负消除前加工表面损伤沾污以及控制诱生二次缺陷和杂质的双重任务。在特定的抛光设备条件下，硅片抛光效果取决于抛光剂及其抛光工艺技术。

最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光，例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing)取代了旧的方法，它借助超微粒子的研磨作用以及抛光液(浆料)的化学腐蚀作用，在化学成膜和机械去膜的交替过程中，从被研磨的介质表面上去除极薄的一层材料，实现超精密平坦表面加工。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。

研磨液是CMP的关键要素之一，研磨液的性能直接影响抛光后表面的质量，研磨液一般由超细固体粒子研磨剂、表面活性剂、稳定剂、氧化剂、螯合剂、去离子水混合后组成，固体粒子提供研磨作用，化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。

研磨液通常是由研磨液自动配比装置配比并且供应到机台,当研磨液配比装置的液位传感器教点(teach point)发生偏移时，需要对其进行校准。而现有技术是直接使用研磨液配比装置对其进行校准，其校准装置如图1所示，包括储液罐1，以及位于所述储液罐上的液位传感器2。

当使用上述装置对液位传感器进行校准时，需要等研磨液实际到达液位传感器的位置时，才可以进行校准，由于储液罐体积较大，如果正常消耗研磨液，则需要耗费较长时间，而如果在短时间内排出大量研磨液，则造成了研磨液的浪费；因此，使用现有装置无法进行多次校准，不仅降低了校准效率而且还降低了校准的准确度。

鉴于此，有必要设计一种新的液位传感器校准装置用以解决上述技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种液位传感器校准装置，解决了利用现有校准装置进行校准时不仅耗费时间、浪费研磨液，而且还降低了校准的效率和准确度的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种液位传感器校准装置，所述液位传感器校准装置包括：

储液罐；

位于所述储液罐侧壁上且垂直排列的至少两个液位传感器；

位于所述储液罐内，并通过与第一阀门和第二阀门配合，将所述储液罐隔离成第一腔室和第二腔室的隔离墙壁，其中，所述第一阀门位于所述储液罐上方，所述第二阀门位于所述储液罐下方，所述隔离墙壁分别与所述储液罐上方和下方设有预设距离；

位于所述储液罐上方、且部分进入所述储液罐内的液流管，其中，所述液流管上设置有第三阀门；

位于所述第二腔室上表面的注入口；以及

位于所述第二腔室下表面的排泄口。

优选地，所述液流管包括主管路，与所述主管路分别连接的第一管路和第二管路，其中，所述第一管路位于所述储液罐上方且部分进入所述第一腔室，所述第二管路位于所述储液罐上方且部分进入所述第二腔室。

优选地，所述第三阀门位于所述主管路上或所述第三阀门位于所述第二管路上。

优选地，所述第一腔室和第二腔室的宽度比大于或等于5:1。

优选地，所述隔离墙壁与所述储液罐上方的预设距离、和所述隔离墙壁与所述储液罐下方的预设距离相等。

优选地，所述预设距离小于所述储液罐高度的一半。

优选地，所述液位传感器为接触式液位传感器或非接触式液位传感器中的一种。

优选地，所述隔离墙壁为防酸碱腐蚀隔离墙壁。

优选地，所述储液罐为半透明储液罐。

优选地，所述液位传感器的数量为4个。