[实用新型]半导体照射治疗仪有效
申请号: | 201621350442.X | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN206549001U | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 程武超 | 申请(专利权)人: | 上海顶信医疗设备股份有限公司 |
主分类号: | A61N5/067 | 分类号: | A61N5/067 |
代理公司: | 上海巅石知识产权代理事务所(普通合伙)31309 | 代理人: | 王再朝,张明 |
地址: | 200331 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 照射 治疗 | ||
1.一种半导体照射治疗仪,其特征在于,包括:
治疗主机,包括:主电源系统、半导体激光器、激光器驱动电源、以及激光器控制系统;以及
激光治疗头,通过传输光纤与所述半导体激光器连接。
2.根据权利要求1所述的半导体照射治疗仪,其特征在于,所述主电源系统包括交流电源、电源控制电路、变压器,所述变压器输出的电源传输至所述激光器驱动电源和所述激光器控制系统。
3.根据权利要求2所述的半导体照射治疗仪,其特征在于,所述电源控制电路中配置有断路器、滤波器、以及交流继电器。
4.根据权利要求1所述的半导体照射治疗仪,其特征在于,所述治疗主机还包括激光器温度控制单元,与所述激光器控制系统和所述半导体激光器连接,用于对所述半导体激光器调节制冷/制热温度点并予以制冷/制热。
5.根据权利要求1所述的半导体照射治疗仪,其特征在于,所述治疗主机还包括触控屏幕。
6.根据权利要求1所述的半导体照射治疗仪,其特征在于,所述半导体激光器产生的激光的波长范围为400纳米至410纳米。
7.根据权利要求1所述的半导体照射治疗仪,其特征在于,所述激光治疗头包括:
透镜模组,包括透镜筒和内置于所述透镜筒的透镜;
控制套筒,套接于所述透镜筒;通过转动所述控制套筒来带动所述透镜前后移动于所述透镜筒以调节激光光斑大小;以及
电位装置,具有与所述控制套筒联动的电位器;所述电位器的阻值通过所述控制套筒的转动而调节。
8.根据权利要求7所述的半导体照射治疗仪,其特征在于,所述透镜筒的筒壁上开设有曲线导向槽,所述透镜通过透镜定位件而定位于所述曲线导向槽。
9.根据权利要求7所述的半导体照射治疗仪,其特征在于,所述控制套筒的后端设有齿纹,所述齿纹与所述电位器的齿轮相啮合。
10.根据权利要求9所述的半导体照射治疗仪,其特征在于,还包括激光光斑调档结构,所述激光光斑调档结构包括:
调档销或调档凸起,设于所述控制套筒的后端;以及
固定环,设有供所述的调档销或调档凸起对应的多个档位孔或档位缺口,每一个所述的档位孔或档位缺口对应着某一档位的激光光斑大小。
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