[实用新型]一种接收机前端电路有效
申请号: | 201621348791.8 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN206237388U | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 陈新菡;宋树祥;蒋品群;蔡超波 | 申请(专利权)人: | 广西师范大学 |
主分类号: | H04B1/16 | 分类号: | H04B1/16 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 杨立,付倩 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接收机 前端 电路 | ||
1.一种接收机前端电路,其特征在于:包括全差分低噪声跨导放大级模块(1)、25%占空比的开关混频级模块(2)和跨阻放大级模块(3);
所述开关混频级模块(2)与全差分低噪声跨导放大级模块(1)连接,所述跨阻放大级模块(3)与开关混频级模块(2)连接。
2.根据权利要求1所述一种接收机前端电路,其特征在于:所述全差分低噪声跨导放大级模块(1)包括NMOS管M1~NMOS管M6,电容C1~电容C6,电感L1~电感L6,电阻R1~R4,NMOS管M1的栅极经电感L1与所述电容C1的一端连接,电容C1的另一端与射频电压信号正极端Vin1连接;NMOS管M1的漏极与NMOS管M3的源极连接,其源极经电感L3接地,其源极还经电容C3与其栅极连接;NMOS管M3的栅极接电源VDD,其漏极经电感L5接电源VDD,还经电容C6与开关混频级模块(2)连接;所述NMOS管M5的源极接地,其漏极经电阻R1与电源VDD连接,其栅极与其漏极连接,其栅极还经电阻R3连接至电容C1与电感L1之间的连线;
NMOS管M2的栅极经电感L2与所述电容C2的一端连接,电容C2的另一端与射频电压信号负极端Vin2连接;NMOS管M2的漏极与NMOS管M4的源极连接,其源极经电感L4接地,其源极还经电容C4与其栅极连接;NMOS管M4的栅极接电源VDD,其漏极经电感L6接电源VDD,还经电容C5与开关混频级模块(2)连接;所述NMOS管M6的源极接地,其漏极经电阻R2与电源VDD连接,其栅极与其漏极连接,其栅极还经电阻R4与电容C2连接。
3.根据权利要求2所述一种接收机前端电路,其特征在于:所述开关混频级模块(2)包括第一I路和第一Q路,所述第一I路和第一Q路连接。
4.根据权利要求3所述一种接收机前端电路,其特征在于:所述第一I路包括电容C7、电容C8、电阻R5、电阻R6,NMOS管M7~NMOS管M10;
NMOS管M7的栅极经电容C8接入本振信号VLo180,还经电阻R6接入偏置电压Vblo,其栅极还与NMOS管M10的栅极连接;其源级分别与第一Q路和电容C5连接,其漏极分别与NMOS管M9的漏极和跨阻放大级模块(3)连接;NMOS管M8的栅极经电容C7接入本振信号VLo0,其栅极还经电阻R5接入置电压Vblo,其栅极还与NMOS管M9的栅极连接;其源级分别与第一Q路和电容C5连接,其漏极分别与NMOS管M10的漏极和跨阻放大级模块(3)连接;NMOS管M9和NMOS管M10的源极均与第一Q路连接,还同时与电容C6连接。
5.根据权利要求4所述一种接收机前端电路,其特征在于:所述第一Q路包括电容C9、电容C10、电阻R7、电阻R8,NMOS管M11~NMOS管M14;
NMOS管M14的栅极经电容C10接入本振信号Vlo270,还经电阻R8接入偏置电压Vblo,其栅极还与NMOS管M11的栅极连接;其源级分别与NMOS管M7和NMOS管M8的源极连接;其漏极分别与NMOS管M12的漏极和跨阻放大级模块(3)连接;NMOS管M13的栅极经电容C9接入本振信号Vlo90,其栅极还经电阻R7接入置电压Vblo,其栅极还与NMOS管M12的栅极连接;分别与NMOS管M7和NMOS管M8的源极连接;其漏极分别与NMOS管M11的漏极和跨阻放大级模块(3)连接;NMOS管M11和NMOS管M12的源极相连,其连接端分别与NMOS管M9和NMOS管M10的源极连接。
6.根据权利要求5所述一种接收机前端电路,其特征在于:NMOS管M7的漏极与NMOS管M10的漏极之间通过滤波电容C11连接;NMOS管M11的漏极与NMOS管M14的漏极之间通过滤波电容C12连接。
7.根据权利要求5或6所述一种接收机前端电路,其特征在于:所述跨阻放大级模块(3)包括第二I路和第二Q路,所述第二I路与所述第一I路连接,所述第二Q路与第一Q路连接。
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