[实用新型]发光二极管光源模块有效
| 申请号： | 201621342911.3 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN206282856U | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 邢陈震崙;洪荣豪;谢孟庭 | 申请（专利权）人： | 葳天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;F21S8/10;F21V19/00;F21W101/02;F21W101/10;F21Y115/10 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 毛广杰 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 光源 模块 | ||
1.一种发光二极管光源模块，其特征在于，包括：
呈串联连接的多个发光二极管组件，且各该发光二极管组件均包括一垂直式结构发光二极管芯片；以及
一基座，包含一基板及一保护墙，该多个发光二极管组件及该保护墙分别设于该基板上，且该保护墙的高度大于各该发光二极管组件的高度，
其中，相邻二个发光二极管组件之间的距离为D，并满足下列条件：
0.05mm<D≤0.10mm。
2.根据权利要求1所述的发光二极管光源模块，其特征在于，其中相邻二个发光二极管组件之间的距离为0.08mm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管光源模块，其特征在于，其中各该发光二极管组件还包括包覆该垂直式结构发光二极管芯片的一波长转换层，该发光二极管芯片的高度为H，该波长转换层在该发光二极管芯片的顶面上的厚度为T，并满足下列条件：
H>2T。
4.根据权利要求3所述的发光二极管光源模块，其特征在于，其中该波长转换层位于相邻二个发光二极管芯片之间的间隔中。
5.根据权利要求3所述的发光二极管光源模块，其特征在于，还包括：
一导线；以及
一上电路层，设于该基板的一上表面并包含相分隔的一第一电极及一第二电极，该垂直式结构发光二极管芯片的一下电极连接于该第一电极，该导线跨接于该垂直式结构发光二极管芯片的一上电极及该第二电极之间，以电性连接该上电极及该第二电极，该第一电极及该第二电极之间的距离小于0.10mm。
6.根据权利要求5所述的发光二极管光源模块，其特征在于，其中该保护墙的高度为h，该导线与该基板的该上表面之间的最大距离为d，并满足下列条件：
h>d。
7.根据权利要求1所述的发光二极管光源模块，其特征在于，其中该保护墙呈封闭状地围绕该多个发光二极管组件。
8.根据权利要求1所述的发光二极管光源模块，其特征在于，其中该保护墙非呈封闭状结构。
9.根据权利要求1所述的发光二极管光源模块，其特征在于，其中该基板及该保护墙为一体成型。
10.根据权利要求1所述的发光二极管光源模块，其特征在于，还包括一胶材，该胶材设于该基板及该保护墙之间。
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