[实用新型]一种安全的SSD物理销毁装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种销毁装置，具体是一种安全的SSD物理销毁装置。

背景技术

通常数据的销毁分为软件擦除和物理销毁两种，软件擦除虽然有效性很高但是需要较长的时间，擦除后盘片仍可继续使用，用户对其销毁效果有所质疑，而物理销毁采用高压击穿的方式可对盘片中的存储介质产生不可逆的破坏，毫秒级的销毁时间可彻底报废盘，其快速彻底销毁用户敏感隐私数据的特点具有重要意义。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种安全的SSD物理销毁装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种安全的SSD物理销毁装置，包括LDO模块、升压芯片以及过欠压、过流保护芯片，电压P5V_SSD分别连接LDO模块以及过欠压、过流保护芯片，电压P5V_SSD还通过开关SW2连接升压芯片，LDO模块还连接单片机，过欠压、过流保护芯片还连接DC-DC模块，DC-DC模块还连接开关SW1。

作为本实用新型再进一步的方案：所述开关SW1另一端连接Nand Flash。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型多通道控制，串行销毁，销毁精确到每个存储介质，避免其他介质击穿后旁路掉销毁电流，从而导致剩下存储介质销毁不彻底；多轮电压加载销毁，防止存储介质处于烧毁和未烧毁的临界状态造成的切换通道的误判，保证销毁的效果；销毁记忆功能，详细地记录销毁过程，如果销毁时突然断电，当再次上电瞬间，销毁会继续进行，保证销毁的成功率。

附图说明

图1为安全的SSD物理销毁装置的电路原理框图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

请参阅图1，本实用新型实施例中，一种安全的SSD物理销毁装置，包括LDO模块、升压芯片以及过欠压、过流保护芯片，电压P5V_SSD分别连接LDO模块以及过欠压、过流保护芯片，电压P5V_SSD还通过开关SW2连接升压芯片，LDO模块还连接单片机，过欠压、过流保护芯片还连接DC-DC模块，DC-DC模块还连接开关SW1；所述开关SW1另一端连接Nand Flash。

正常工作模式下开关SW1接通、SW2断开，和Nand Flash的VCC管脚相连的各个开关均接通，固态硬盘正常进行读写业务；当进入物理销毁模式时，开关SW1断开，SW2接通，和Nand Flash的VCC管脚相连的各个开关按照时间间隔375μs，轮流进行接通（同一时间只有一个与Nand Flash相连的开关接通），即对每片Nand Flash进行多轮高压击穿。

升压电路将5V输入电源升压至15V，提供物理销毁所需的高压。

销毁过程控制主要由单片机完成，包括控制工作/销毁模式的切换、多轮高压击穿的轮数和多片Nand Flash之间的高压脉冲时间间隔等。

本实用新型多通道控制，串行销毁，销毁精确到每个存储介质，避免其他介质击穿后旁路掉销毁电流，从而导致剩下存储介质销毁不彻底；多轮电压加载销毁，防止存储介质处于烧毁和未烧毁的临界状态造成的切换通道的误判，保证销毁的效果；销毁记忆功能，详细地记录销毁过程，如果销毁时突然断电，当再次上电瞬间，销毁会继续进行，保证销毁的成功率。

本实用新型设计了软硬件双保险开关，有效防止误触发；触发持续超过设定时间才允许启动销毁；自定义触发信号的高低电平特征码，符合特定码型才允许启动销毁；如果用按键开关触发时，硬件和软件都有防抖滤波功能模块。

本实用新型采用高压击穿方式和领先的硬件设计，使得物理销毁的周期可以在瞬间完成，以512GB、8片Nand Flash的固态硬盘为例，物理销毁时间仅需10毫秒。

安全性作为物理销毁的重要考量指标，销毁的过程做到了清洁、环保，无火花、无冒烟。为了达到此目的，经过反复的实验和论证，在保证能可靠销毁存储介质情况下，严格限制了销毁功率，并作了限流保护。其次，独特的防反灌设计，物理隔离了销毁盘片和挂载系统，有效避免了因盘片销毁而损毁外部供电系统，安全性提升了一个数量级。

此物理销毁技术，有严格的功耗管理设计，在器件选型方面也尽量选择低功耗的又满足设计需求的硬件，待机和销毁都做到了低功耗。因低功耗设计，静态功耗降低了35%，总销毁功耗降低了90%，领先于同类产品。