[实用新型]一种双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置

权利要求书

1.一种双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，包括真空腔体、真空获得系统、靶极、收放卷系统，其特征在于：所述真空腔体上设置有真空获得系统，真空腔体内的磁控溅射区左右两侧分别布置有一排磁控溅射的靶极，所述收放卷系统包括第一卷轴、第二卷轴、若干导向辊、若干张力辊以及两根主动辊，第一卷轴和第二卷轴分别位于磁控溅射区上下侧，每排所述靶极和其相对应的主动辊之间形成磁控溅射通道，两根所述主动辊位于磁控溅射区中且两根主动辊沿水平方向分布在两排靶极之间，第一卷轴中的基材通过导向辊、张力辊和相应的主动辊进去其中一个磁控溅射通道后从另一个磁控溅射通道出并经相应的主动辊、张力辊和导向辊收卷于第二卷轴。

2.根据权利要求1所述的双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，其特征在于：所述第一卷轴位于磁控溅射区上方，所述第二卷轴位于磁控溅射区下方；或者，所述第二卷轴位于磁控溅射区上方，所述第一卷轴位于磁控溅射区下方。

3.根据权利要求1或2所述的双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，其特征在于：缠绕在两根所述主动辊上的基材呈S形，主动辊的直径为1.5~2m。

4.根据权利要求1所述的双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，其特征在于：所述真空获得系统为分子泵。

5.根据权利要求1所述的双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，其特征在于：所述真空腔体内设置有深冷水汽捕集器。

6.根据权利要求5所述的双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，其特征在于：所述深冷水汽捕集器是深冷泵。

7.根据权利要求1所述的双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，其特征在于：所述收放卷系统右上侧设置有离子源处理器。

8.根据权利要求1所述的双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，其特征在于：所述靶极设置为8个，其中4个靶极成一排后分布在其中一个主动辊的圆周外侧，余下4个靶极成一排后分布在另一个主动辊的圆周外侧，所述磁控溅射通道呈弧状。

9.根据权利要求1所述的双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，其特征在于：所述真空腔体为圆形。

10.根据权利要求1所述的双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，其特征在于：所述真空腔体下部设有接地装置。