[实用新型]6GHz‑18GHz超宽带4路功分器有效
申请号: | 201621326800.3 | 申请日: | 2016-12-06 |
公开(公告)号: | CN206340653U | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 朱志峰;秦瑞;练小庆 | 申请(专利权)人: | 南京华瓯电子科技有限公司 |
主分类号: | H01P5/12 | 分类号: | H01P5/12 |
代理公司: | 南京钟山专利代理有限公司32252 | 代理人: | 戴朝荣 |
地址: | 210000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ghz 18 宽带 路功分器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种4路功分器,特别是一种6GHz-18GHz超宽带4路功分器。
背景技术
功分器全称功率分配器,英文名Power divider,是一种将一路输入信号能量分成两路或多路输出相等或不相等能量的器件,也可反过来将多路信号能量合成一路输出,此时可也称为合路器。一个功分器的输出端口之间应保证一定的隔离度。功分器按输出通常分为一分二(一个输入两个输出)、一分三(一个输入三个输出)等。功分器的主要技术参数有功率损耗(包括插入损耗、分配损耗和反射损耗)、各端口的电压驻波比,功率分配端口间的隔离度、幅度平衡度,相位平衡度,功率容量和频带宽度等。传统单阶的威尔金森功分器相对带宽较窄,在15%以内,不能满足宽带功率合成的要求。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种6GHz-18GHz超宽带4路功分器。
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:
一种6GHz-18GHz超宽带4路功分器,其特征在于:包含基板、壳体、微带线、输入接口和四个输出接口,基板固定在壳体内,输入接口和四个输出接口分别固定在壳体两侧,微带线由三组2路功分微带线构成,其中两组2路功分微带线的输入端分别与另一组2路功分微带线两个输出端连接,两组2路功分微带线的输出端分别与四个输出接口连接,另一组2路功分微带线的输入端与输入接口连接,每组2路功分微带线包含阻抗变换器和两组阻抗变换微带线,阻抗变换器一端作为每组2路功分微带线的输入端,两组阻抗变换微带线的一端与阻抗变换器另一端连接,两组阻抗变换微带线的另一端作为每组2路功分微带线的输出端。
进一步地,所述阻抗变换器将微带线特征阻抗由50欧姆降低到46欧姆再降低到37欧姆。
进一步地,所述两组阻抗变换微带线对称设置在阻抗变换器两侧。
进一步地,所述阻抗变换微带线由三段阻抗微带线构成,三段阻抗微带线的阻抗依次降低最终将阻抗降低为50欧姆。
进一步地,所述三段阻抗微带线的阻抗依次为71欧姆、55欧姆和50欧姆。
进一步地,50欧姆段的阻抗微带线弯曲设置。
进一步地,所述基板采用RT5880介质基片。
进一步地,所述瓷介质基片厚度为0.5mm。
本实用新型与现有技术相比,具有以下优点和效果:本实用新型的功分器为三阶功分器,与普通三阶功分器相比改进之处在于在功分前将输入微带线特征阻抗从50欧姆降至46欧姆再降低到37欧姆,使得功分臂第三阶阻抗变换的阻抗也相应地从67欧姆降低至50欧姆,可显著地降低加工难度、提高耐受功率。测试结果6GHz-18GHz功分器带内插损小于0.3dB,完全满足高效大功率功率合成的要求,可用于实现6GHz-18GHz功率放大器的大功率输出。
附图说明
图1是本实用新型的6GHz-18GHz超宽带4路功分器的示意图。
图2是本实用新型的6GHz-18GHz超宽带4路功分器的微带线示意图。
图3是本实用新型的6GHz-18GHz超宽带4路功分器的仿真曲线图。
具体实施方式
下面结合附图并通过实施例对本实用新型作进一步的详细说明,以下实施例是对本实用新型的解释而本实用新型并不局限于以下实施例。
如图所示,本实用新型的一种6GHz-18GHz超宽带4路功分器,包含基板1、壳体2、微带线3、输入接口4和四个输出接口5,基板1固定在壳体2内,输入接口4和四个输出接口5分别固定在壳体2两侧,微带线3由三组2路功分微带线构成,其中两组2路功分微带线的输入端分别与另一组2路功分微带线两个输出端连接,两组2路功分微带线的输出端分别与四个输出接口5连接,另一组2路功分微带线的输入端与输入接口4连接,每组2路功分微带线包含阻抗变换器6和两组阻抗变换微带线7,阻抗变换器6一端作为每组2路功分微带线的输入端,两组阻抗变换微带线7的一端与阻抗变换器6另一端连接,两组阻抗变换微带线7的另一端作为每组2路功分微带线的输出端。
阻抗变换器6将微带线特征阻抗由50欧姆降低到46欧姆再降低到37欧姆。两组阻抗变换微带线7对称设置在阻抗变换器6两侧。阻抗变换微带线7由三段阻抗微带线构成,三段阻抗微带线的阻抗依次降低最终将阻抗降低为50欧姆。三段阻抗微带线的阻抗依次为71欧姆、55欧姆和50欧姆。50欧姆段的阻抗微带线弯曲设置。
基板1采用RT5880介质基片。RT5880介质基片厚度为0.5mm, 可通过超过200W的微波功率。
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