[实用新型]阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201621322702.2 申请日: 2016-12-05
公开(公告)号: CN206248976U 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 龙春平;李盼 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 代理人: 滕一斌
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域,特别涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

现有的液晶显示器件中,平面转换(In Plane Switching,IPS)模式主要利用设置在液晶层同一侧的像素电极与公共电极,通过彼此间形成的平面电场来使液晶分子在平行于显示面的平面内偏转,相较于传统的扭转向列(Twisted Nematic,TN)模式可以实现更高的对比度与更宽广的视角。然而正是由于IPS模式利用平面电场来使液晶分子偏转,高分辨率下相邻像素区域之间更容易产生电场间的相互干扰,使得相邻像素区域边缘处的电场混乱,产生漏光和混色等现象,降低像素开口率,极大地影响了显示器件的显示性能。

发明内容

针对现有技术中的缺陷,本实用新型提供一种触控面板及其制作方法、显示装置,可以改善现有平面转换类型的显示器件由像素边缘处的电场混乱所造成的显示性能下降。

第一方面,本实用新型提供一种阵列基板,包括行列排布的若干个子像素区域,所述子像素区域包括像素开口区;

所述子像素区域内设有一个像素电极和一个公共电极;所述公共电极连接公共电压;

行方向上相邻的两个子像素区域之间设有导电图形,至少部分的所述导电图形位于行方向上相邻的两个子像素区域中的像素开口区之间;所述导电图形连接公共电压。

在一种可能的实现方式中,所述公共电极通过连接公共电压线连接公共电压,所述公共电压线设置在相邻两行的像素开口区之间。

在一种可能的实现方式中,所述阵列基板包括第一导电层,所述导电图形与所述公共电极均包含于所述第一导电层。

在一种可能的实现方式中,所述公共电极与至少一个邻近导电图形在所述第一导电层中相连,所述邻近导电图形是设置在所述公共电极所在的子像素区域与相邻的子像素区域之间的导电图形。

在一种可能的实现方式中,行方向上设置在同一子像素区域两侧的两个所述导电图形在所述第一导电层中相连,和/或,设置在列方向上相邻的两个子像素区域的同一侧的两个所述导电图形在所述第一导电层中相连。

在一种可能的实现方式中,所述第一导电层中设置在列方向上相邻的两个子像素区域的同一侧的两个所述导电图形之间设有第一连接图形,和/或,所述第一导电层中行方向上设置在同一子像素区域两侧的两个所述导电图形之间设有第二连接图形;相邻两列的所述像素开口区之间设有数据线,所述第一连接图形和/或所述第二连接图形的设置区域的至少部分与所述数据线的设置区域相互分离。

在一种可能的实现方式中,所述第一导电层中设置在列方向上相邻的两个子像素区域的同一侧的两个所述导电图形之间设有第一连接图形;所述导电图形位于相邻的两条所述公共电压线之间;所述第一连接图形还在与所述公共电压线的交叠处连接所述公共电压线,所述导电图形藉由所述第一连接图形连接所述公共电压线。

在一种可能的实现方式中,所述第一导电层中设置在列方向上相邻的两个子像素区域的同一侧的两个所述导电图形之间设有第一连接图形;所述第一连接图形在行方向上的投影长度小于所述导电图形在行方向上的投影长度。

在一种可能的实现方式中,所述第一导电层的形成材料为金属材料。

在一种可能的实现方式中,所述像素电极包括沿行方向延伸的连接部;所述连接部与所述公共电压线之间相互交叠。

在一种可能的实现方式中,相邻两行的所述像素开口区之间设有栅线;相邻两列的所述像素开口区之间设有数据线;

所述栅线在与所述数据线的交汇处的线宽小于在相邻的两条所述数据线之间的线宽,和/或,所述公共电压线在与所述数据线的交汇处的线宽小于在相邻的两条所述数据线之间的线宽。

在一种可能的实现方式中,相邻两行的所述像素开口区之间设有栅线,所述导电图形位于相邻的两条所述栅线之间。

在一种可能的实现方式中,相邻两行的所述像素开口区之间设有栅线;相邻两列的所述像素开口区之间设有数据线;所述子像素区域内还设有一个晶体管,所述晶体管的栅极连接所述栅线,栅极以外的第一极连接所述数据线,第二极连接所述像素电极;其中,所述数据线与所述晶体管的第一极之间藉由所述数据线的延伸图形连接,所述延伸图形在与所述栅线的交叠处设有开口。

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