[实用新型]一种主动增亮膜有效
| 申请号： | 201621311566.7 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN206505949U | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王恺;周子明;秦静;陈威;郝俊杰;孙小卫 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋,侯桂丽 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 主动 增亮膜 | ||
1.一种主动增亮膜，其特征在于，所述主动增亮膜中包含至少一层掺杂量子点的聚合物薄膜和至少一层含有金属纳米棒的聚合物薄膜，所述含有金属纳米棒的聚合物薄膜中的金属纳米棒取向一致且呈周期性排列；
其中，所述掺杂量子点的聚合物薄膜的厚度为0.05mm～0.35mm；
所述含有金属纳米棒的聚合物薄膜的厚度为0.005mm～0.02mm。
2.根据权利要求1所述的主动增亮膜，其特征在于，所述主动增亮膜中，所述掺杂量子点的聚合物薄膜的层数大于等于2。
3.根据权利要求1或2所述的主动增亮膜，其特征在于，所述含有金属纳米棒的聚合物薄膜的层数大于等于2，且所述主动增亮膜中的全部金属纳米棒的取向均一致。
4.根据权利要求1所述的主动增亮膜，其特征在于，若所述主动增亮膜中只含有一层掺杂量子点的聚合物薄膜，则主动增亮膜的一个外表面所述掺杂量子点的聚合物薄膜。
5.根据权利要求1所述的主动增亮膜，其特征在于，若所述主动增亮膜中含有至少两层掺杂量子点的聚合物薄膜，则主动增亮膜的两个外表面均为掺杂量子点的聚合物薄膜。
6.根据权利要求1所述的主动增亮膜，其特征在于，所述含有金属纳米棒的聚合物薄膜中，所述金属纳米棒的直径在1nm～200nm。
7.根据权利要求1所述的主动增亮膜，其特征在于，所述含有金属纳米棒的聚合物薄膜中，所述金属纳米棒的长径比为3～5。
8.根据权利要求1项所述的主动增亮膜，其特征在于，所述含有金属纳米棒的聚合物薄膜中，相邻的两个金属纳米棒的轴沿金属纳米棒径向方向的间距lx在0～300nm；相邻的两个金属纳米棒的同一侧端面沿金属纳米棒轴向的间距ly在0～300nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
