[实用新型]一种高功放芯片保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术，具体涉及一种高功放芯片保护电路。

背景技术

高功放芯片是微波组件，特别是TR组件中最常用的芯片。高功放芯片是一种高值的器件，也是组件中最容易损坏的器件之一。频繁的更换高功放会直接导致产品成本提高。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种高功放芯片保护电路。

本实用新型的技术方案如下：

一种高功放芯片保护电路，包括门电路、开关驱动器、FET管和负电保护电路；

所述负电保护电路包括第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管和三极管；所述第一二极管的负极连接所述第二二极管的负极；所述三极管的基极连接所述第一二极管和所述第二二极管的公共端；所述第一电阻和所述第二电阻相串联，此串联支路一端作为负电保护电路的输出端，连接所述门电路的使能端，另一端连接所述第一二极管的正极；所述第一电阻和所述第二电阻的公共端连接电源电压；所述第二二极管的负极作为所述负电保护电路的输入端，连接高功放芯片的栅压端；所述三极管的集电极连接于负电保护电路的输出端；所述三极管的发射极接地；

所述门电路的输出端连接所述开关驱动器的输入端；所述开关驱动器的输出端连接FET管的栅极；FET管的漏极连接高功放芯片的漏压端；

还包括下拉电阻和上拉电阻；所述下拉电阻一端连接所述开关驱动器的输入端，另一端接地；所述上拉电阻一端连接所述FET管的输入端，另一端连接电源电压。

本实用新型的有益技术效果是：

本实用新型通过负电保护电路、上拉电阻、下拉电阻三重保护，提高了高功放芯片使用时的稳定性，降低高功放芯片的损坏率。

附图说明

图1是本实用新型的电路图。

具体实施方式

图1是本实用新型的电路图。

如图1所示，本实用新型包括包括门电路A1、开关驱动器A2、FET管A3和负电保护电路。

负电保护电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一二极管D1、第二二极管D2和三极管T。第一二极管D1的负极连接第二二极管D2的负极。三极管T的基极连接第一二极管D1和第二二极管D2的公共端。第一电阻R1和第二电阻R2相串联，此串联支路一端作为负电保护电路的输出端，连接门电路A1的使能端，另一端连接第一二极管D1的正极。第一电阻R1和第二电阻R2的公共端连接电源电压V1。第二二极管D2的负极作为负电保护电路的输入端，连接高功放芯片的栅压端。三极管T的集电极连接于负电保护电路的输出端，三极管T的发射极接地。

门电路A1的输出端连接开关驱动器A2的输入端。开关驱动器A2的输出端连接FET管A3的栅极。FET管A3的漏极连接高功放芯片的漏压端。

还包括下拉电阻R3和上拉电阻R4。下拉电阻R3一端连接开关驱动器A2的输入端，另一端接地。上拉电阻R4一端连接FET管A3的输入端，另一端连接电源电压V1。

在图1所示的电路中，门电路A1的使能端控制其通断，门电路A1的输入端输入发射控制信号T1。使能信号EN由负电保护电路提供，负电保护电路中，第一电阻R1和第二电阻R2的公共端所输入的电源电压V1为正电。负电保护电路的输入端所输入的电压V3为负电并与高功放芯片的栅压端相连接。开关驱动器A2输出反向信号，其输入端接下拉电阻R3。FET管A3，输出反向信号，其输入端接上拉电阻R4。

本实用新型的工作方法是：

负电保护电路监测高功放芯片A4的栅压，当高功放芯片A4的栅压掉电时，负电保护电路所输出的使能信号EN为低，门电路A1关闭，高功放芯片A4不工作。

当门电路A1发生异常或门电路A1与开关驱动器A3断路，导致门电路A1所输出的控制信号T1*状态不确定时，下拉电阻R3保证控制信号T1*恒为低，控制信号T1*经开关驱动器A2和FET管A3两次反向后，输出到高功放芯片A4的漏压端仍为低，高功放芯片A4不工作。

当开关驱动器A2发生异常或开关驱动器A2与FET管A3断路，导致开关驱动器锁输出的驱动信号T1_0状态不确定时，上拉电阻R2保证驱动信号T1_0恒为高，经FET管A3反向后输出到高功放芯片A4漏压端为低，高功放芯片A4不工作。

通过这三重保护，提高了高功放芯片使用时的稳定性，降低高功放芯片的损坏率。