[实用新型]一种光子晶体纳米流体传感器有效
申请号: | 201621300674.4 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN206248858U | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 陈幼平;彭望;艾武;张代林;张冈;谢经明 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人: | 张彩锦 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光子 晶体 纳米 流体 传感器 | ||
1.一种光子晶体纳米流体传感器,其特征在于,该传感器包括光子晶体结构和光学透明覆盖层(4),其中:
所述光子晶体结构包括玻璃基底(1)、设于所述玻璃基底(1)上的光栅层(2)和沉积在所述光栅层(2)上的材料层(3),所述光栅层(2)具有光栅周期结构,所述光学透明覆盖层(4)设于所述材料层(3)的上表面,其与所述光栅层(2)的光栅凹槽形成纳米流体通道(6)。
2.根据权利要求1所述的光子晶体纳米流体传感器,其特征在于,所述玻璃基底(1)包括彼此粘合的盖玻片和载玻片,其中所述盖玻片作为光子晶体纳米流体传感器的基底,而载玻片则作为所述光栅层(2)的基底。
3.根据权利要求2所述的光子晶体纳米流体传感器,其特征在于,所述光栅层(2)由紫外线固化物固化而成,其折射率低于所述材料层(3)的折射率。
4.根据权利要求3所述的光子晶体纳米流体传感器,其特征在于,所述材料层(3)为ZnS、Si3N4、TiO2、ZnO或碲酸盐玻璃,其沉积厚度为50-200nm。
5.根据权利要求4所述的光子晶体纳米流体传感器,其特征在于,所述光学透明覆盖层(4)为3M胶片、PDMS、PMMA或SU8。
6.根据权利要求5所述的光子晶体纳米流体传感器,其特征在于,所述光栅层(2)由石英光栅母模板(5)通过纳米复制成型得到,所述紫外线固化物旋涂在所述载玻片上。
7.根据权利要求6所述的光子晶体纳米流体传感器,其特征在于,所述光学透明覆盖层(4)上还刻蚀有纳米流体的出口和入口。
8.根据权利要求7所述的光子晶体纳米流体传感器,其特征在于,所述载玻片和盖玻片使用前两面均用丙酮、异丙醇、去离子化水以及异丙醇依次洗涤,然后利用氮气干燥,再置于氧离子腔中清除浮渣。
9.根据权利要求8所述的光子晶体纳米流体传感器,其特征在于,所述石英光栅母模板(5)的光栅高度为100-200nm。
10.根据权利要求9所述的光子晶体纳米流体传感器,其特征在于,所述盖玻片的尺寸为75mm×25mm×1mm,所述载玻片的尺寸为70mm×22mm×0.17mm。
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