[实用新型]H桥电机驱动电路有效
| 申请号: | 201621296344.2 | 申请日: | 2016-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN206294109U | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
| 发明(设计)人: | 陈万超;刘贺 | 申请(专利权)人: | 重庆海德世拉索系统(集团)有限公司 |
| 主分类号: | H02P29/032 | 分类号: | H02P29/032 |
| 代理公司: | 重庆志合专利事务所50210 | 代理人: | 胡荣珲,代婵 |
| 地址: | 401120*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电机 驱动 电路 | ||
1.一种H桥电机驱动电路,包括H桥电路,其特征在于:所述H桥电路的第一场效应管的源极、第二场效应管的源极与电源正极之间设有具有蓄电能力的稳压、滤波电路,用于实现对电机电压补偿,所述H桥电路的第三场效应管的源极、第四场效应管的源极均接地,所述H桥电路的第一场效应管的漏极、第三场效应管的漏极均与电机的一端连接,所述H桥电路的第二场效应管的漏极、第四场效应管的漏极均与电机的另一端连接。
2.根据权利要求1所述的H桥电机驱动电路,其特征在于:稳压、滤波电路中的稳压电路包括稳压二极管和第五场效应管,所述第五场效应管的漏极连接电源正极,电源正极经过电阻后连接稳压二极管的负极,稳压二极管的负极连接第五场效应管的控制端栅极,稳压二极管的正极接地,所述第五场效应管的源极为输出端,用于与滤波电路、第一场效应管的源极、第二场效应管的源极连接。
3.根据权利要求1所述的H桥电机驱动电路,其特征在于:所述稳压、滤波电路中的滤波电容包括电解电容、陶瓷电容,所述电解电容、陶瓷电容并联,所述电解电容的正极与稳压电路的输出端、第一场效应管的源极、第二场效应管的源极连接,所述电解电容的负极接地。
4.根据权利要求1或2或3所述的H桥电机驱动电路,其特征在于:所述第一场效应管的源极、第二场效应管的源极与电源正极之间设有继电器,继电器经H桥控制电路与MCU模块连接,所述MCU模块用于输出控制信号给H桥控制电路,控制继电器的通电或断电。
5.根据权利要求4所述的H桥电机驱动电路,其特征在于:所述继电器的触点设置在稳压电路与滤波电路之间。
6.根据权利要求4所述的H桥电机驱动电路,其特征在于:所述H桥控制电路包括三极管,所述三极管的基极与MCU模块连接,所述三极管的集电极与电源正极连接,所述三极管的发射极与继电器线圈的一端连接,继电器线圈的另一端接地。
7.根据权利要求1所述的H桥电机驱动电路,其特征在于:所述H桥电路的第一场效应管的控制端栅极与第三场效应管的控制端栅极之间设置非门逻辑电路,使第一场效应管与第三场效应管不能同时导通,所述H桥电路的第二场效应管的控制端栅极与第四场效应管的控制端栅极之间设置非门逻辑电路,使第二场效应管、第四场效应管不能同时导通。
8.根据权利要求7所述的H桥电机驱动电路,其特征在于:所述H桥电路的控制端栅极与MCU模块之间设有用于使能非门逻辑电路的电源控制电路,当非门逻辑电路处于使能状态,MCU模块对场效应管FET的控制,受非门逻辑电路的保护;当非门逻辑电路处于不使能状态,MCU模块对场效应管FET的控制是无效的,电机不会动作,H桥也没有工作电流流过。
9.根据权利要求1所述的H桥电机驱动电路,其特征在于:所述H桥电路的控制端栅极与MCU模块之间设有EMC电路,用于降低在FET快速工作中造成的辐射骚扰,并过滤从电机传导到MCU的骚扰。
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