[实用新型]应用于供电总线的主机电路装置有效
| 申请号： | 201621283837.2 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN206249302U | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李飞;张宏 | 申请（专利权）人： | 北京强联通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/40 | 分类号： | G06F13/40 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人： | 郝文博,王建秀 |
| 地址： | 100048 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 供电 总线 主机 电路 装置 | ||
1.一种应用于供电总线的主机电路装置，其特征在于，包括：
P-MOSFET控制电路，用于利用P-MOSFET晶体管来实现电源向供电总线的功率的接通和断开的控制，包括所述P-MOSFET晶体管和所述P-MOSFET晶体管的驱动电路；
信号读取电路，用于读取所述供电总线上从机回传的电流信号和/或电压信号，并利用线性稳压电路对读取的所述电流信号和/或电压信号进行恒压处理，包括所述线性稳压电路和用于所述线性稳压电路的外围电路；以及
总线信号控制电路，用于利用PNP型大功率三极管驱动数据信号在供电总线上的传输，包括所述PNP型大功率三极管和用于所述大功率PNP型三极管的外围电路。
2.根据权利要求1所述的主机电路装置，其特征在于，所述P-MOSFET晶体管的驱动电路被构造为通过较低电压的信号来驱动较高电压的所述P-MOSFET晶体管。
3.根据权利要求1所述的主机电路装置，其特征在于，所述P-MOSFET晶体管的驱动电路进一步包括：
阻尼电路，用于使得驱动所述P-MOSFET晶体管的驱动信号平稳。
4.根据权利要求1所述的主机电路装置，其特征在于，所述用于所述线性稳压电路的外围电路包括：
用于与所述线性稳压电路结合而组成的恒压电路，所述恒压电路用于对从机回传的电流信号和/或电压信号进行恒压处理。
5.根据权利要求4所述的主机电路装置，其特征在于，所述恒压电路连接至所述总线信号控制电路的用于所述大功率PNP型三极管的外围电路，用于为要加载到供电总线上的数据信号提供稳定的电压源。
6.根据权利要求1所述的主机电路装置，其特征在于，所述用于所述线性稳压电路的外围电路包括：
信号转换电路，用于对从机回传的电流信号和/或电压信号进行信号转换，以便转换至主机通信芯片能够处理的范围。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的主机电路装置，其特征在于，所述P-MOSFET晶体管为IRF9540或IRF4905晶体管。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的主机电路装置，其特征在于，所述线性稳压电路为LM317稳压块。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的主机电路装置，其特征在于，所述PNP型大功率三极管为MJD127三极管或TIP127三极管。
10.根据权利要求1-6中任一项所述的主机电路装置，其特征在于，所述PNP型大功率三极管为PNP达林顿三极管。
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