[实用新型]半导体激光器芯片封装的共晶结构

权利要求书

1.一种半导体激光器芯片封装的共晶结构，其特征在于：包括布设有凹槽的石墨底座和设在凹槽内的金属支架，所述金属支架上依次叠置有金锡焊料片、陶瓷基板和激光器芯片，所述金属支架上位于金锡焊料片和激光器芯片旁侧设有限位用石墨件，所述石墨件和激光器芯片上方盖设有石墨上盖。

2.根据权利要求1所述半导体激光器芯片封装的共晶结构，其特征在于：所述金属支架为L型金属支架。

3.根据权利要求1所述半导体激光器芯片封装的共晶结构，其特征在于：所述石墨上盖与石墨件之间设有用于顶压石墨件的不锈钢插销。

4.根据权利要求2所述半导体激光器芯片封装的共晶结构，其特征在于：所述凹槽的深度为3-5mm, L型金属支架的底横片陷入在该凹槽内，金锡焊料片、陶瓷基板和激光器芯片侧面抵靠在L型金属支架的竖片。

5.根据权利要求3所述半导体激光器芯片封装的共晶结构，其特征在于：所述陶瓷基板为矩形管柱，其上、下表面覆有一层金层，金层厚度大于2um，金锡焊料片和激光器芯片位于陶瓷基板的上、下表面。

6.根据权利要求1所述半导体激光器芯片封装的共晶结构，其特征在于：所述陶瓷基板长为5-6mm，宽为2-4mm，高为1.5-3mm；L型金属支架长5.5-8mm，宽2.5-6mm,高5.5-8mm，厚度在0.5-1.5mm，并在L型金属支架的竖片中心挖有圆孔，圆孔直径为2.5-3.5mm。

7.根据权利要求1所述半导体激光器芯片封装的共晶结构，其特征在于：所述石墨底座厚6-8mm，长300mm-400mm，宽200-300mm，其上凹槽的数量在60-100之间；各个凹槽长6-8mm，宽5-7mm，深3-5mm。

8.根据权利要求1所述半导体激光器芯片封装的共晶结构，其特征在于：所述凹槽的数量在60-200之间；各个槽位长6-8mm，宽5-7mm，深3-5mm。

9.根据权利要求3所述半导体激光器芯片封装的共晶结构，其特征在于：所述石墨件，厚3mm-4mm，长5mm-8mm，宽2mm-3mm；石墨上盖上设有插孔，插孔数量为130-300个，插孔为圆孔，直径为0.5mm-2mm；所述不锈钢插销为圆柱形，长度20mm-40mm，直径为0.5-2mm，前端逐级缩小，最前端设计成尖端。