[实用新型]一种有机电致发光器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电领域，涉及一种光电器件，尤其涉及一种有机电致发光器件。

背景技术

目前，电致发光器件是一种自发光器件，属于注入式发光,在正向偏压的作用下,阳极向电荷传输层注入空穴,在电场的作用下向传输层界面移动,而由阴极注入的电子也由电子传输层向界面移动,由于势垒的作用,电子不易进入电荷传输层,而在界面附近发光层一侧积累，从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在发光层相遇、复合，释放出能量，将能量传递给发光物质的分子，使其从基态跃迁到激发态，由于激发态很不稳定，受激分子发光从激发态回到基态，辐射跃迁而产生发光现象。

由于使用无机化合物制备的电致发光器件具有结构稳固，使用寿命长，稳定性强等优势，得到了广泛的应用，但是无机电致发光器件制作成功高，加工困难，效率低下，难以满足人们对信息显示设备的需求，有机电致发光器件材料选择范围宽，具有低电压驱动、高亮度、宽视角、响应速度快等特性，在显示照明等方面有良好的应用前景，在近年来得到了迅猛的发展，有机电致发光器件已经成为目前的研究热点之一。

CN 103904178 A公开了一种量子点发光器件。该量子点发光器件包括依次相邻设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，量子点发光器件还包括电子阻挡层，设置在电子传输层中或设置在量子点发光层与电子传输层之间。利用设置电子阻挡层一方面保证载流子的平衡注入，另一方面隔 绝电子传输层与量子点发光层之间的电荷自发转移，保证了量子点电中性。所述量子点发光器件采用常用的CdSe、CdS等量子点，量子效率低，且发光性质不可控。

CN 105720204 A公开了一种种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管，包括ITO玻璃基板、沉积在ITO玻璃表面的ZnO电子传输层、无机钙钛矿CsPbX₃量子点发光层、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺空穴传输层、空穴注入层和阳极电极材料。通过以下步骤制备：首先在洁净的ITO玻璃上采用磁控溅射法沉积ZnO电子传输层，之后取CsPbX3量子点的分散液旋涂在器件表面，然后热蒸发沉积TCTA空穴传输层，再热蒸发沉积空穴注入层，最后沉积阳极电极材料。所述发光二极管的发光层采用CsPbX₃，通过X为Cl、Br和I任意两种的组合来调节发光层发光性质，但是两种化合物的简单掺杂并不能对发光层产生太大影响，不能从根本上改变发光层的发光性质，且容易造成发光不均匀的问题，同时外量子效率较低。

因此，针对现有技术中有机电致发光器件的发光层采用CdSe、CdS等量子点，亮度低，开启电压高的问题，研究一种新的有机电致发光器件十分重要。

实用新型内容

针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的之一在于提供一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件发光亮度大，开启电压小，发光性质可控，所述制备方法工艺简单，可用于工业化生产。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括从阳极层一侧依次连接的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；

其中，所述发光层为钙钛矿量子点层，所述发光层的厚度为15～20nm。

所述放光层的厚度可以是15nm、16nm、17nm、18nm、19nm或20nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内包含的其他未列举的数值也同样适用。其中钙钛矿量子点层为现有技术，参见CN 105720204 A。

以下作为本实用新型优选的技术方案，但不作为本实用新型提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好的达到和实现本实用新型的技术目的和有益效果。

作为本实用新型优选的技术方案，所述阳极层选自ITO层、Au层或Cu层中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性实例有：ITO层和Au层的组合、Au层和Cu层的组合、ITO层和Cu层的组合或ITO层、Au层和Cu层的组合等，阳极层为ITO层时效果最好。

作为本实用新型优选的技术方案，所述空穴注入层选自PEDOT:PSS层、MoO₃层或TDATA层中任意一种或至少两种的组合，所述空穴注入层的厚度为10～30nm。