[实用新型]一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路及电源

说明书

技术领域

本实用新型涉及电源领域，更具体地说，涉及一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路及电源。

背景技术

LLC是目前电源发展较为成熟的电源拓扑，它因有着很高的转换效率而闻名于业界，因此一经出现就受到了广泛的推崇和快速普及。这种拓扑不但拥有很高的转换效率，而且电流电压应力小，电路产生的电磁干扰也小，同时电路关键元器件的要求也不高，在成本没有很大增加的情况下大幅度的提高了电器性能，所以才会在适配器、通讯电源、大功率充电器、逆变器以及LED照明电源等领域广泛使用。经典的LLC电路为一个串联谐振电感一个并联谐振电感和一个谐振电容组成，如图1所示。

现有电路结构缺点如下：

1.虽然比起其他电源拓扑产生的电磁干扰明显减小，但是EMC抑制电路中需要的共模电感体积较大；

2.变压器的寄生电容所产生的电磁干扰不可避免。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述电源中存在电磁电容干扰的缺陷，提供一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路及电源。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，包括：

用于接收输入电压的初级线圈N1，所述初级线圈N1的两端分别连接输入电路，所述初级线圈N1的B1端接地；

与所述初级线圈N1匹配的次级线圈N2和次级线圈N3，所述次级线圈N2和次级线圈N3串联，所述次级线圈N2的B2端连接所述次级线圈N3的A3端；

用于吸收由于器件的寄生参数产生的电磁兼容干扰的EMC吸收电路，所述次级线圈N2的A2端通过所述EMC吸收电路连接所述次级线圈N3的B3端；

所述次级线圈N2的A2端连接第一输出端，所述次级线圈N3的B3端连接所述第一输出端，所述次级线圈N2与所述次级线圈N3的节点连接第二输出端。

优选地，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，所述EMC吸收电路为电容C6，所述电容C6的一端连接所述次级线圈N2的A2端，所述电容C6的另一端连接所述次级线圈N3的B3端。

优选地，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，所述电容C6为贴片电容。

优选地，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，所述电容C6取值范围为100PF-220PF。

进一步，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，所述输入电路包括第一输入电路和第二输入电路，所述第一输入电路连接第一输入端，所述第二输入电路连接第二输入端；

所述第一输入电路连接所述第二输入电路，所述第二输入电路接地；

所述第一输入电路连接所述初级线圈N1的A1端，所述第二输入电路连接所述初级线圈N1的B1端。

进一步，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，

所述第一输入电路包括：场效应管Q1和电容C1，所述场效应管Q1的栅极连接所述第一输入端，所述场效应管Q1的漏极通过所述电容C1连接所述场效应管Q1的源极，所述场效应管Q1的漏极连接母线输入端Vin，所述场效应管Q1的源极连接所述初级线圈N1的A1端；

所述第二输入电路包括：场效应管Q2和电容C2，所述场效应管Q2的栅极连接所述第二输入端，所述场效应管Q2的漏极通过所述电容C2连接所述场效应管Q2的源极，所述场效应管Q2的源极连接所述初级线圈N1的B1端；

所述场效应管Q1的源极连接所述场效应管Q2的漏极。

进一步，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，还包括绕组LS和电容C5，所述场效应管Q1的源极通过所述绕组LS连接所述初级线圈N1的A1端，所述初级线圈的B1端通过所述电容C5连接所述场效应管Q2的源极。

进一步，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，还包括用于吸收所述次级线圈N2和次级线圈N3产生的干扰的第一抗干扰电路和第二抗干扰电路；

所述第一抗干扰电路的输入端连接所述次级线圈N2的A2端，所述第一抗干扰电路的输出端连接第一输出端；

所述第二抗干扰电路的输入端连接所述次级线圈N3的B3端，所述第二抗干扰电路的输出端连接所述第一输出端；

所述次级线圈N2的B2端连接第二输出端。

进一步，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，