[实用新型]一种新型芯片清洗装置有效

专利信息
申请号: 201621262051.2 申请日: 2016-11-21
公开(公告)号: CN206194712U 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 邵甜 申请(专利权)人: 邵甜
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 济南鼎信专利商标代理事务所(普通合伙)37245 代理人: 曹玉琳
地址: 311404 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 芯片 清洗 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型主要涉及微电子技术领域,具体是一种新型芯片清洗装置。

背景技术

在微电子科学与工程技术领域中,芯片是制作微电子器件的基本元件,而在半导体芯片制作过程中,芯片清洗的好坏直接决定芯片的质量。在对芯片进行清洗时,首先需要将芯片浸泡在化学试剂中一定时间,使用化学试剂对芯片表面进行浸泡清洗,然后再将经化学试剂清洗过的芯片使用高纯水进行清洗,以置换掉残留化学试剂和杂质离子等。现有技术中在对芯片进行化学试剂清洗后拿出芯片时,需要借助其他工具一个一个的拿出芯片在放入水槽内进行清洗,浪费时间而且很不方便,操作时容易碰触到清洗液,对人体造成伤害,存在一定的危险。

实用新型内容

为了解决现有技术中的不足,本实用新型提供一种新型芯片清洗装置,通过推动装置可以将移动置物板由第一升降置物架直接移动至第二升降置物架上,无需直接接触芯片和清洗液,提高操作安全性,同时芯片是放置在移动置物板上的,无需一个一个的取出芯片进行水洗,便于若干个芯片的整体移动清洗,简单方便,提高工作效率。

本实用新型为实现上述目的,通过以下技术方案实现:

一种新型芯片清洗装置,包括作业柜,所述作业柜内部设置酸槽和水槽,所述酸槽内设置第一升降置物装置,所述第一升降置物装置包括第一升降置物架、第一滑轨和第一丝杠,所述第一滑轨竖直设置于靠近水槽一侧的酸槽内壁上,所述第一丝杠与第一滑轨平行,且位于酸槽内远离水槽的一侧,所述第一丝杠与酸槽转动连接,所述酸槽上设置带动第一丝杠转动的第一电机,所述第一升降置物架的两侧分别设有与第一滑轨相适应的第一滑块和与第一丝杠相适应的第一丝母,所述酸槽的底部设置排酸阀;所述水槽内设置第二升降置物装置,所述第二升降置物装置包括第二升降置物架、第二滑轨和第二丝杠,所述第二滑轨竖直设置于靠近酸槽一侧的水槽内壁上,所述第二丝杠与第二滑轨平行,且位于水槽内远离酸槽的一侧,所述第二丝杠与水槽转动连接,所述水槽上设置带动第二丝杠转动的第二电机,所述第二升降置物架的两侧分别设有与第二滑轨相适应的第二滑块和与第二丝杠相适应的第二丝母,所述水槽的底部设置排水阀;还包括移动置物板和设置在酸槽上的推动装置,所述移动置物板的底部设有漏液孔,当第一升降置物架、第二升降置物架分别上升至酸槽、水槽顶端时,通过推动装置的推动,移动置物板可以由第一升降置物架移动至第二升降置物架上。

所述推动装置包括设置在酸槽上的液压杆。

所述推动装置包括设置在酸槽上的滑动杆,所述滑动杆与酸槽滑动连接。

所述第一升降置物架、第二升降置物架均包括框架,所述框架的顶部设有导向凸块,所述移动置物板的底部设有与导向凸块相适应的导向凹槽。

所述框架为圆环形框架或者椭圆环形框架或者长方环形框架。

所述第一升降置物架与第一滑块、第一丝母可拆卸连接,所述第二升降置物架与第二滑块、第二丝母可拆卸连接。

所述作业柜上设置进水管,所述进水管位于水槽的上侧,所述进水管上设置喷头。

对比现有技术,本实用新型有益效果在于:

1、本实用新型通过推动装置可以将移动置物板由第一升降置物架直接移动至第二升降置物架上,无需直接接触芯片和清洗液,提高操作安全性,同时芯片是放置在移动置物板上的,无需一个一个的取出芯片进行水洗,便于若干个芯片的整体移动清洗,简单方便,提高工作效率。

2、推动装置包括设置在酸槽上的液压杆,可以通过液压杆直接控制移动置物板的移动,简单方便。

3、推动装置包括设置在酸槽上的滑动杆,滑动杆与酸槽滑动连接,通过手动推动滑动杆,即可实现移动置物板的移动,简单方便。

4、第一升降置物架、第二升降置物架均包括框架,框架的顶部设有导向凸块,移动置物板的底部设有与导向凸块相适应的导向凹槽,通过导向凸块和导向凹槽的配合,使移动置物板在移动过程中不会发生偏移,便于移动置物板的移动。

5、述第一升降置物架与第一滑块、第一丝母可拆卸连接,第二升降置物架与第二滑块、第二丝母可拆卸连接,便于第一升降置物架、第二升降置物架的更换。

6、作业柜上进水管的设置,方便高纯水的直接使用,简单方便;进水管上喷头的设置,可以先对经过化学试剂处理的芯片进行喷水清洗,然后在使用高纯水浸泡,可以节约水资源,降低成本,还可以提高工作效率。

附图说明

附图1是本实用新型的结构示意图。

附图2是框架的结构示意图。

附图3是附图1中I的局部放大图。

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