[实用新型]一种阵列基板及显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

在液晶显示面板和有机发光二级管显示面板中，电容在阵列基板的阵列电路中都有合理的设计利用，其中最主要的是起到将显示过程中对应的源极电压保持到下次更新画面作用的存储电容。有机发光二级管显示面板的阵列基板的结构，如图1所示，半导体电极4与第二电极6形成存储电容。在显示过程中，当第一驱动管10被选中开启时，存储电容进行充电，同时，第二电极6的电压用于控制第二驱动管11的开启，从而控制第四电极9的电流；当第一驱动管10截止时，存储电容用于维持第二电极6的当前电压，使第二驱动管11保持一直导通状态，从而第四电极9的电流处于恒流控制。可见，存储电容的特性的表现尤为重要，直接影响显示面板的正常显示。为了增强存储电容的特性，在半导体电极4的下方设置第一电极2，第一电极2用于使半导体电极4导体化，从而提高存储电容存储并保持电压的能力。

但是，第一电极2与半导体电极4之间存在第一保护层3，为了保证第一驱动管10与第二驱动管11的开关特性，第一保护层3的厚度较厚，从而第一电极2使半导体电极4导体化的效果较差，使存储电容存储并保持电压的能力较差，进而影响显示面板的显示，产生暗点不良。

发明内容

本实用新型针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板及显示面板，用以至少部分解决存储电容存储并保持电压的能力较差，导致显示面板产生暗点不良的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供一种阵列基板，包括基底，形成在所述基底上的第一电极，形成在所述基底和第一电极上的第一保护层，形成在所述第一保护层上且与所述第一电极的位置相对应的半导体电极，形成在所述第一保护层和半导体电极上的第二保护层，形成在所述第二保护层上且至少部分覆盖所述半导体电极的第二电极，在垂直于所述基底的方向上，所述第一保护层上第一电极区域的厚度小于非第一电极区域的厚度，所述第一电极区域为所述第一电极对应的区域。

优选的，所述第一电极区域形成有凹陷部，所述半导体电极至少部分容置在所述凹陷部内。

优选的，所述凹陷部的宽度大于或等于所述半导体电极的宽度。

优选的，所述阵列基板还包括形成在所述第二保护层上的第三电极，所述第三电极与所述半导体电极连接。

优选的，所述阵列基板还包括，形成在所述第二保护层和第二电极上的第三保护层，以及形成在所述第三保护层上且至少部分覆盖所述第二电极的第四电极，所述第四电极与所述第三电极连接。

优选的，所述阵列基板为有机发光二级管基板。

优选的，所述第一电极为栅极，所述第二电极与第三电极为源极，所述第四电极为阳极。

优选的，所述半导体电极包括金属氧化物、非晶硅或多晶硅。

还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。

本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板包括基底，在基底上依次形成有第一电极、第一保护层、半导体电极、第二保护层和第二电极，第二电极与半导体电极形成存储电容，第一电极位于半导体电极下方用于使半导体电极导体化。在垂直于基底的方向上，第一保护层上第一电极区域的厚度小于非第一电极区域的厚度，即第一电极与半导体电极之间第一保护层的厚度小于其它区域第一保护层的厚度，从而增强第一电极的电场对半导体电极的影响，使半导体电极导体化效果更好，进而在不影响驱动管的开关特性的前提下，提高存储电容存储并保持电压的能力，解决显示面板显示暗点的不良。

附图说明

图1为现有技术提供的阵列基板的截面结构示意图；

图2为本实施例提供的阵列基板的截面结构示意图一；

图3为本实施例提供的阵列基板的截面结构示意图二。

图例说明：

1、基底 2、第一电极 3、第一保护层 4、半导体电极5、第二保护层 6、第二电极 7、第三电极 8、第三保护层9、第四电极 10、第一驱动管 11、第二驱动管 12、第一电极区域13、凹陷部

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的一种阵列基板进行详细描述。