[实用新型]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

互连部分(RITX)；

封装层(CCAP)，其位于所述互连部分的最后金属化层级(M_n)之上；

导电层(CC)，其位于所述封装层之上，并且形成接触垫(PLCT)，所述接触垫通过所述封装层接触所述最后金属化层级的金属轨道(P_n)；以及

钝化堆叠(EMPL)，其在所述导电层(CC)之上和所述封装层(CCAP)的部分之上，所述钝化堆叠拥有与所述接触垫相对地展开的开孔(OUV)并且包括非多孔下部钝化层(CPSI)、电绝缘层(CIS)以及上部钝化层(CPSS)。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述非多孔下部钝化层(CPSI)呈现数量比阈值小的孔隙率。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述阈值等于5％。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述下部钝化层(CPSI)的厚度位于50nm和150nm之间。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述下部钝化层(CPSI)包括氮化硅SiN或Si_xN_y类型的任何材料。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述上部钝化层(CPSS)比所述下部钝化层(CPSI)厚。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述上部钝化层(CPSS)包括氮化硅SiN。

8.根据权利要求1到7中的一项所述的集成电路，其特征在于，所述互连部分(RITX)包括至少一个金属化层级，所述金属化层级拥有被电介质区域交替分离的导电元件(L3、L4)，并且所述集成电路包括至少一个非多孔电介质阻挡件(90、91)，所述至少一个非多孔电介质阻挡件(90、91)位于至少一个电介质区域的多孔部分(800)和两个所述导电元件(L3、L4)中的至少一个之间，两个所述导电元件(L3、L4)被所述至少一个电介质区域分离。